Vertical spin transport in semiconductor heterostructures
The Landauer—B ttiker formalism combined with the tight-binding transfer matrix method is employed to model vertical coherent spin transport within magnetization modulated semiconductor heterostructures based on GaAs. This formalism provides excellent physical description of recent experiments co...
Збережено в:
| Дата: | 2007 |
|---|---|
| Автори: | , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | English |
| Опубліковано: |
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
2007
|
| Назва видання: | Физика низких температур |
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/127727 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Vertical spin transport in semiconductor heterostructures / P. Sankowski, P. Kacman, J.A. Majewski, T. Dietl // Физика низких температур. — 2007. — Т. 33, № 2-3. — С. 256-262. — Бібліогр.: 34 назв. — англ. |