Plasma wave resonant detection of terahertz radiations by nanometric transistors
We report on resonant terahertz detection by two-dimensional electron plasma located in nanometric InGaAs and GaN transistors. Up to now, the biggest part of the research was devoted to GaAs-based devices as the most promising from the point of view of the electron mobility. The resonant detectio...
Збережено в:
Дата: | 2007 |
---|---|
Автори: | , , , , , |
Формат: | Стаття |
Мова: | English |
Опубліковано: |
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
2007
|
Назва видання: | Физика низких температур |
Теми: | |
Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/127738 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
Цитувати: | Plasma wave resonant detection of terahertz radiations by nanometric transistors / W. Knap, A. El Fatimy, J. Torres, F. Teppe, M. Orlov, V. Gavrilenko // Физика низких температур. — 2007. — Т. 33, № 2-3. — С. 388-391. — Бібліогр.: 18 назв. — англ. |