Plasma wave resonant detection of terahertz radiations by nanometric transistors

We report on resonant terahertz detection by two-dimensional electron plasma located in nanometric InGaAs and GaN transistors. Up to now, the biggest part of the research was devoted to GaAs-based devices as the most promising from the point of view of the electron mobility. The resonant detectio...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Видавець:Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
Дата:2007
Автори: Knap, W., El Fatimy, A., Torres, J., Teppe, F., Orlov, M., Gavrilenko, V.
Формат: Стаття
Мова:English
Опубліковано: Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України 2007
Назва видання:Физика низких температур
Теми:
Онлайн доступ:http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/127738
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Цитувати:Plasma wave resonant detection of terahertz radiations by nanometric transistors / W. Knap, A. El Fatimy, J. Torres, F. Teppe, M. Orlov, V. Gavrilenko // Физика низких температур. — 2007. — Т. 33, № 2-3. — С. 388-391. — Бібліогр.: 18 назв. — англ.

Репозиторії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine