Thermal conductivity of donor-doped GaN measured with 3ω and stationary methods

• Datum: 2015
• Hauptverfasser: Churiukova, O., Jeżowski, A., Stachowiak, P., Mucha, J., Litwick, Z., Perlin, P., Susk, T.
• Format: Artikel
• Sprache: English
• Veröffentlicht: Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України 2015
• Schriftenreihe: Физика низких температур
• Schlagworte: 10th International Conference on Cryocrystals and Quantum Crystals (Final part)
• Online Zugang: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/127954
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Zitieren: Thermal conductivity of donor-doped GaN measured with 3ω and stationary methods / O. Churiukova, A. Jeżowski, P. Stachowiak, J. Mucha, Z. Litwicki, P. Perlin and T. Suski // Физика низких температур. — 2015. — Т. 41, № 7. — С. 725-728. — Бібліогр.: 9 назв. — англ.

The thermal conductivity of three single crystal samples of n-type gallium nitride with electron densities of 4.0⋅10¹⁶, 2.6⋅10¹⁸, and 1.1⋅10²⁰ cm⁻³ has been determined in the temperature range 4–320 K. The measurements were carried out within the ab plane using the stationary method. The thermal...