Электронный топологический переход 3½ рода в бериллии

Проведен анализ известных из литературы экспериментальных данных по температурной зависимости магнитной восприимчивости бериллия. Показано, что эта зависимость может быть объяснена, если учесть, что в бериллии вблизи уровня Ферми имеется точка электронного топологического перехода 3½ рода....

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Дата:2015
Автори: Микитик, Г.П., Шарлай, Ю.В.
Формат: Стаття
Мова:Russian
Опубліковано: Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України 2015
Назва видання:Физика низких температур
Теми:
Онлайн доступ:http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/128290
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:Электронный топологический переход 3½ рода в бериллии / Г.П. Микитик, Ю.В. Шарлай // Физика низких температур. — 2015. — Т. 41, № 12. — С. 1276–1282. — Бібліогр.: 21 назв. — рос.

Репозиторії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine