Влияние концентрации Cr на структурные и магнитные свойства разбавленного магнитного полупроводника Hg₁₋xCrxSe
Представлены результаты исследований структурных и магнитных свойств монокристалли ческих образцов разбавленного магнитного полупроводника Hg₁₋xCrxSe с разной концентрацией ионов хрома (0< x ≤ 0,007 ) в температурном интервале 50-300 К. Установлено, что граница существования гомогенного твердого...
Збережено в:
Дата: | 2002 |
---|---|
Автори: | , , , , |
Формат: | Стаття |
Мова: | Russian |
Опубліковано: |
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
2002
|
Назва видання: | Физика низких температур |
Теми: | |
Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/128724 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
Цитувати: | Влияние концентрации Cr на структурные и магнитные свойства разбавленного магнитного полупроводника Hg₁₋xCrxSe / В.Д. Прозоровский, И.Ю. Решидова, А.И. Пузыня, С.Ю. Паранчич, В.Р. Романюк // Физика низких температур. — 2002. — Т. 28, № 12. — С. 1239-1243. — Бібліогр.: 6. назв. — рос. |