Критические токи в тонких YBa₂Cu₃O₇₋x ВТСП пленках, облученных электронами c энеpгией 4 МэВ
Обнаружено уменьшение плотности критического тока Jc тонкой пленки YBa₂Cu₃O₇₋x после ее облучения электронами с энеpгией 4 МэВ. Показано, что температурная зависимость Jc согласуется с представлением о гранулярной структуре пленки с межгранульными контактами типа сверхпроводник- металл-диэлектрик-св...
Збережено в:
| Дата: | 2000 |
|---|---|
| Автори: | , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Russian |
| Опубліковано: |
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
2000
|
| Назва видання: | Физика низких температур |
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/129096 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Критические токи в тонких YBa₂Cu₃O₇₋x ВТСП пленках, облученных электронами c энеpгией 4 МэВ / Ю.В. Федотов, С.М. Рябченко, А.П. Шахов // Физика низких температур. — 2000. — Т. 26, № 7. — С. 638-641. — Бібліогр.: 17 назв. — рос. |