Критические токи в тонких YBa₂Cu₃O₇₋x ВТСП пленках, облученных электронами c энеpгией 4 МэВ

Обнаружено уменьшение плотности критического тока Jc тонкой пленки YBa₂Cu₃O₇₋x после ее облучения электронами с энеpгией 4 МэВ. Показано, что температурная зависимость Jc согласуется с представлением о гранулярной структуре пленки с межгранульными контактами типа сверхпроводник- металл-диэлектрик-св...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Дата:2000
Автори: Федотов, Ю.В., Рябченко, С.М., Шахов, А.П.
Формат: Стаття
Мова:Russian
Опубліковано: Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України 2000
Назва видання:Физика низких температур
Теми:
Онлайн доступ:http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/129096
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:Критические токи в тонких YBa₂Cu₃O₇₋x ВТСП пленках, облученных электронами c энеpгией 4 МэВ / Ю.В. Федотов, С.М. Рябченко, А.П. Шахов // Физика низких температур. — 2000. — Т. 26, № 7. — С. 638-641. — Бібліогр.: 17 назв. — рос.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Опис
Резюме:Обнаружено уменьшение плотности критического тока Jc тонкой пленки YBa₂Cu₃O₇₋x после ее облучения электронами с энеpгией 4 МэВ. Показано, что температурная зависимость Jc согласуется с представлением о гранулярной структуре пленки с межгранульными контактами типа сверхпроводник- металл-диэлектрик-сверхпроводник.