Break-junction experiments on the Kondo semiconductor CeNiSn: tunnelling versus direct conductance
The rare-earth Kondo semiconductor CeNiSn is investigated by point-contact and tunneling spectroscopy using mechanically controllable break junctions. I(V) characteristics and their derivatives are recorded for contacts from the metallic to the tunneling regime at temperatures between 0.1–8 K and in...
Збережено в:
| Дата: | 2000 |
|---|---|
| Автори: | , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | English |
| Опубліковано: |
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
2000
|
| Назва видання: | Физика низких температур |
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/129106 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Break-junction experiments on the Kondo semiconductor CeNiSn: tunnelling versus direct conductance / Yu.G. Naidyuk, K. Gloos, T. Takabatake // Физика низких температур. — 2000. — Т. 26, № 7. — С. 687-693. — Бібліогр.: 14 назв. — англ. |