2025-02-23T00:22:41-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: Query fl=%2A&wt=json&json.nl=arrarr&q=id%3A%22irk-123456789-129251%22&qt=morelikethis&rows=5
2025-02-23T00:22:41-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: => GET http://localhost:8983/solr/biblio/select?fl=%2A&wt=json&json.nl=arrarr&q=id%3A%22irk-123456789-129251%22&qt=morelikethis&rows=5
2025-02-23T00:22:41-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: <= 200 OK
2025-02-23T00:22:41-05:00 DEBUG: Deserialized SOLR response
Температурная зависимость времени электрон-фононного рассеяния носителей заряда в p-Si/SiGe гетеропереходах

Температурная зависимость времени электрон-фононного рассеяния носителей заряда в p-Si/SiGe гетеропереходах

В гетеропереходе Si/Si₀,₆₄Ge₀,₃₆ с дырочным типом проводимости реализован эффект электронного перегрева. Из анализа затухания амплитуд осцилляций Шубникова-де Гааза пpи изменении температуры и приложенного электрического поля найдена температурная зависимость времени электрон-фононной релаксации: τe...

Full description

Saved in:
Bibliographic Details
Main Authors: Беркутов, И.Б., Комник, Ю.Ф., Миронов, О.А., Волл, Т.Е., Андриевский, В.В.
Format: Article
Language:Russian
Published: Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України 2000
Series:Физика низких температур
Subjects:
Низкоразмерные и неупорядоченные системы
Online Access:http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/129251
Tags: Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!

Internet

http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/129251

Similar Items