Низкотемпературная магнитная вязкость в тонких пленках GaMnSb, содержащих кластеры MnSb
Измерены временные зависимости магнитного момента m(t) тонких пленок GaMnSb, содержащих кластеры MnSb. Обнаружено, что кривые m(t) спрямляются в полулогарифмических координатах m(lnt). Угловой коэффициент прямых m(lnt) соответствует магнитной вязкости S. Установлено, что полевые зависимости магнит...
Збережено в:
| Дата: | 2016 |
|---|---|
| Автори: | , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Russian |
| Опубліковано: |
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
2016
|
| Назва видання: | Физика низких температур |
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/129289 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Низкотемпературная магнитная вязкость в тонких пленках GaMnSb, содержащих кластеры MnSb / А.И. Дмитриев, С.A. Костюченко // Физика низких температур. — 2016. — Т. 42, № 9. — С. 966-971. — Бібліогр.: 13 назв. — рос. |