High-temperature quantum kinetic effect in silicon nanosandwiches

• Видавець: Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
• Дата: 2017
• Автори: Bagraev, N.T., Grigoryev, V.Yu., Klyachkin, L.E., Malyarenko, A.M., Mashkov, V.A., Romanov, V.V., Rul’, N.I.
• Формат: Стаття
• Мова: English
• Опубліковано: Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України 2017
• Назва видання: Физика низких температур
• Теми: К 100-летию со дня рождения И.М. Лифшица
• Онлайн доступ: http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/129360
• Цитувати: High-temperature quantum kinetic effect in silicon nanosandwiches / N.T. Bagraev, V.Yu. Grigoryev, L.E. Klyachkin, A.M. Malyarenko, V.A. Mashkov, V.V. Romanov, N.I. Rul’ // Физика низких температур. — 2017. — Т. 43, № 1. — С. 132-142. — Бібліогр.: 40 назв. — англ.

The negative- U impurity stripes confining the edge channels of semiconductor quantum wells are shown to allow the effective cooling inside in the process of the spin-dependent transport, with the reduction of the electron-electron interaction. The aforesaid promotes also the creation of composite b...