On the nature of ionic liquid gating of Nd₂CuO₄ thin films
Recently, ionic liquid gating has been used to modulate the charge carrier properties of metal oxides. The mechanism behind it, however, is still a matter of debate. In this paper, we report experiments on doped and undoped Nd₂CuO₄. We find major resistance drops of the bilayer coupled to observatio...
Збережено в:
| Видавець: | Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України |
|---|---|
| Дата: | 2017 |
| Автори: | , , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | English |
| Опубліковано: |
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
2017
|
| Назва видання: | Физика низких температур |
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/129380 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Цитувати: | On the nature of ionic liquid gating of Nd₂CuO₄ thin films / Hasan Atesci, Francesco Coneri, Maarten Leeuwenhoek, Hans Hilgenkamp, Jan M. van Ruitenbeek // Физика низких температур. — 2017. — Т. 43, № 2. — С. 353-359. — Бібліогр.: 50 назв. — англ. |