Влияние подсветки на подвижность 2D электронов при рассеянии на коррелированном распределении примесных ионов
На примере гетероструктуры AlxGa₁₋xAs/GaAs изучено влияние подсветки на подвижность 2D электронов при рассеянии на неравновесном коррелированном распределении примесных ионов. Показано, что подсветка образца при достаточно высоких температурах приводит к подавлению эффекта «инверсии электронной про...
Збережено в:
| Дата: | 2017 |
|---|---|
| Автор: | |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Russian |
| Опубліковано: |
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
2017
|
| Назва видання: | Физика низких температур |
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/129431 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Влияние подсветки на подвижность 2D электронов при рассеянии на коррелированном распределении примесных ионов / В.М. Михеев // Физика низких температур. — 2017. — Т. 43, № 4. — С. 623-628. — Бібліогр.: 7 назв. — рос. |