Влияние подсветки на подвижность 2D электронов при рассеянии на коррелированном распределении примесных ионов
На примере гетероструктуры AlxGa₁₋xAs/GaAs изучено влияние подсветки на подвижность 2D электронов при рассеянии на неравновесном коррелированном распределении примесных ионов. Показано, что подсветка образца при достаточно высоких температурах приводит к подавлению эффекта «инверсии электронной про...
Збережено в:
| Дата: | 2017 |
|---|---|
| Автор: | |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Russian |
| Опубліковано: |
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
2017
|
| Назва видання: | Физика низких температур |
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/129431 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Влияние подсветки на подвижность 2D электронов при рассеянии на коррелированном распределении примесных ионов / В.М. Михеев // Физика низких температур. — 2017. — Т. 43, № 4. — С. 623-628. — Бібліогр.: 7 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
irk-123456789-129431 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
irk-123456789-1294312018-01-20T03:03:46Z Влияние подсветки на подвижность 2D электронов при рассеянии на коррелированном распределении примесных ионов Михеев, В.М. XXI Уральская международная зимняя школа по физике полупроводников На примере гетероструктуры AlxGa₁₋xAs/GaAs изучено влияние подсветки на подвижность 2D электронов при рассеянии на неравновесном коррелированном распределении примесных ионов. Показано, что подсветка образца при достаточно высоких температурах приводит к подавлению эффекта «инверсии электронной проводимости». На прикладі гетероструктури AlxGa₁₋xAs/GaAs вивчено вплив підсвічування на рухливість 2D електронів при розсіянні на нерівноважному корельованому розподілі домішкових іонів. Показано, що підсвічування зразка при досить високих температурах призводить до пригнічення ефекту «інверсії електронної провідності». The impact of illumination on the mobility of 2D electrons during scattering by a non-equilibrium correlated distribution of impurity atoms is investigated, based on the example of the AlxGa₁₋xAs/GaAs heterostructure. It is shown that sample backlighting at sufficiently high temperatures leads to the suppression of the “electron conductivity inversion” effect. 2017 Article Влияние подсветки на подвижность 2D электронов при рассеянии на коррелированном распределении примесных ионов / В.М. Михеев // Физика низких температур. — 2017. — Т. 43, № 4. — С. 623-628. — Бібліогр.: 7 назв. — рос. 0132-6414 PACS: 73.21.Fg, 73.90.+f http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/129431 ru Физика низких температур Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| language |
Russian |
| topic |
XXI Уральская международная зимняя школа по физике полупроводников XXI Уральская международная зимняя школа по физике полупроводников |
| spellingShingle |
XXI Уральская международная зимняя школа по физике полупроводников XXI Уральская международная зимняя школа по физике полупроводников Михеев, В.М. Влияние подсветки на подвижность 2D электронов при рассеянии на коррелированном распределении примесных ионов Физика низких температур |
| description |
На примере гетероструктуры AlxGa₁₋xAs/GaAs изучено влияние подсветки на подвижность 2D электронов при рассеянии на неравновесном коррелированном распределении примесных ионов. Показано,
что подсветка образца при достаточно высоких температурах приводит к подавлению эффекта «инверсии электронной проводимости». |
| format |
Article |
| author |
Михеев, В.М. |
| author_facet |
Михеев, В.М. |
| author_sort |
Михеев, В.М. |
| title |
Влияние подсветки на подвижность 2D электронов при рассеянии на коррелированном распределении примесных ионов |
| title_short |
Влияние подсветки на подвижность 2D электронов при рассеянии на коррелированном распределении примесных ионов |
| title_full |
Влияние подсветки на подвижность 2D электронов при рассеянии на коррелированном распределении примесных ионов |
| title_fullStr |
Влияние подсветки на подвижность 2D электронов при рассеянии на коррелированном распределении примесных ионов |
| title_full_unstemmed |
Влияние подсветки на подвижность 2D электронов при рассеянии на коррелированном распределении примесных ионов |
| title_sort |
влияние подсветки на подвижность 2d электронов при рассеянии на коррелированном распределении примесных ионов |
| publisher |
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України |
| publishDate |
2017 |
| topic_facet |
XXI Уральская международная зимняя школа по физике полупроводников |
| url |
http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/129431 |
| citation_txt |
Влияние подсветки на подвижность 2D электронов при рассеянии на коррелированном распределении примесных ионов / В.М. Михеев // Физика низких температур. — 2017. — Т. 43, № 4. — С. 623-628. — Бібліогр.: 7 назв. — рос. |
| series |
Физика низких температур |
| work_keys_str_mv |
AT miheevvm vliâniepodsvetkinapodvižnostʹ2délektronovprirasseâniinakorrelirovannomraspredeleniiprimesnyhionov |
| first_indexed |
2023-10-18T20:57:50Z |
| last_indexed |
2023-10-18T20:57:50Z |
| _version_ |
1796151566042923008 |