Квантовая емкость трехмерного топологического изолятора на основе HgTe

• Дата: 2017
• Автори: Козлов, Д.А., Bauer, D., Ziegler, J., Fischer, R., Савченко, М.Л., Квон, З.Д., Михайлов, Н.Н., Дворецкий, С.А., Weiss, D.
• Формат: Стаття
• Мова: Russian
• Опубліковано: Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України 2017
• Назва видання: Физика низких температур
• Теми: XXI Уральская международная зимняя школа по физике полупроводников
• Онлайн доступ: http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/129432
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Цитувати: Квантовая емкость трехмерного топологического изолятора на основе HgTe / Д.А. Козлов, D. Bauer, J. Ziegler, R. Fischer, М.Л. Савченко, З.Д. Квон, Н.Н. Михайлов, С.А. Дворецкий, D. Weiss // Физика низких температур. — 2017. — Т. 43, № 4. — С. 537-545. — Бібліогр.: 21 назв. — рос.

Экспериментально изучена квантовая емкость, напрямую характеризующая плотность состояний высокоподвижных дираковских двумерных состояний, образующихся на поверхности напряженной пленки HgTe. Показано, что наблюдаемые в магнитоемкости квантовые осцилляции, в отличие от осцилляций в магнитотранспорте, где вклад дают все существующие типы носителей, соответствуют электронам на верхней поверхности пленки. Таким образом, емкостная спектроскопия является селективным методом для исследования свойств отдельной топологической поверхности даже в условиях большого количества объемных носителей. Благодаря этой особенности впервые получены данные о фазовом сдвиге осцилляций Шубникова–де Гааза, часто ассоциируемом с фазой Берри, для отдельного дираковского конуса, а также получена зависимость величины сдвига от положения уровня Ферми.