Квантовая емкость трехмерного топологического изолятора на основе HgTe

Экспериментально изучена квантовая емкость, напрямую характеризующая плотность состояний высокоподвижных дираковских двумерных состояний, образующихся на поверхности напряженной пленки HgTe. Показано, что наблюдаемые в магнитоемкости квантовые осцилляции, в отличие от осцилляций в магнитотранспорте...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Видавець:Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
Дата:2017
Автори: Козлов, Д.А., Bauer, D., Ziegler, J., Fischer, R., Савченко, М.Л., Квон, З.Д., Михайлов, Н.Н., Дворецкий, С.А., Weiss, D.
Формат: Стаття
Мова:Russian
Опубліковано: Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України 2017
Назва видання:Физика низких температур
Теми:
Онлайн доступ:http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/129432
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Цитувати:Квантовая емкость трехмерного топологического изолятора на основе HgTe / Д.А. Козлов, D. Bauer, J. Ziegler, R. Fischer, М.Л. Савченко, З.Д. Квон, Н.Н. Михайлов, С.А. Дворецкий, D. Weiss // Физика низких температур. — 2017. — Т. 43, № 4. — С. 537-545. — Бібліогр.: 21 назв. — рос.

Репозиторії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
id irk-123456789-129432
record_format dspace
spelling irk-123456789-1294322018-01-20T03:05:05Z Квантовая емкость трехмерного топологического изолятора на основе HgTe Козлов, Д.А. Bauer, D. Ziegler, J. Fischer, R. Савченко, М.Л. Квон, З.Д. Михайлов, Н.Н. Дворецкий, С.А. Weiss, D. XXI Уральская международная зимняя школа по физике полупроводников Экспериментально изучена квантовая емкость, напрямую характеризующая плотность состояний высокоподвижных дираковских двумерных состояний, образующихся на поверхности напряженной пленки HgTe. Показано, что наблюдаемые в магнитоемкости квантовые осцилляции, в отличие от осцилляций в магнитотранспорте, где вклад дают все существующие типы носителей, соответствуют электронам на верхней поверхности пленки. Таким образом, емкостная спектроскопия является селективным методом для исследования свойств отдельной топологической поверхности даже в условиях большого количества объемных носителей. Благодаря этой особенности впервые получены данные о фазовом сдвиге осцилляций Шубникова–де Гааза, часто ассоциируемом с фазой Берри, для отдельного дираковского конуса, а также получена зависимость величины сдвига от положения уровня Ферми. Експериментально вивчено квантову ємність, яка безпосередньо характеризує щільність станів високорухливих діраківських двовимірних станів, що утворюються на поверхні напруженої плівки HgTe. Показано, що квантові осциляції магнітоємності, які спостерігаються, на відміну від осциляцій в магнітотранспорті, де внесок дають всі існуючі типи носіїв, відповідають електронам на верхній поверхні плівки. Таким чином, ємнісна спектроскопія є селективним методом для дослідження властивостей окремої топологічної поверхні навіть в умовах великої кількості об'ємних носіїв. Завдяки цій особливості вперше отримано дані про фазовий зсув осциляцій Шубнікова–де Гааза, який часто асоціюється з фазою Беррі, для окремого діраківського конуса, а також отримано залежність цієї величини від положення рівня Фермі. The quantum capacitance that directly characterizes the density of states of highly mobile Dirac two-dimensional states formed on the surface of a stressed HgTe film is studied experimentally. It is shown that, as opposed to the oscillations in the magnetotransport to which all the existing types of carriers contribute, the quantum oscillations observed in the magnetic capacitance correspond to electrons on the upper surface of the film. Thus, capacitance spectroscopy is a selective technique for studying the properties of an individual topological surface, even when a large number of bulk carriers are present. Because of this feature, for the first time we have obtained data on the phase shift in the Shubnikov-de Haas oscillations usually associated with the Berry phase for an isolated Dirac cone and found its dependence on the location of the Fermi level. 2017 Article Квантовая емкость трехмерного топологического изолятора на основе HgTe / Д.А. Козлов, D. Bauer, J. Ziegler, R. Fischer, М.Л. Савченко, З.Д. Квон, Н.Н. Михайлов, С.А. Дворецкий, D. Weiss // Физика низких температур. — 2017. — Т. 43, № 4. — С. 537-545. — Бібліогр.: 21 назв. — рос. 0132-6414 PACS: 73.25.+i, 73.20.At, 73.43.–f http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/129432 ru Физика низких температур Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
language Russian
topic XXI Уральская международная зимняя школа по физике полупроводников
XXI Уральская международная зимняя школа по физике полупроводников
spellingShingle XXI Уральская международная зимняя школа по физике полупроводников
XXI Уральская международная зимняя школа по физике полупроводников
Козлов, Д.А.
Bauer, D.
Ziegler, J.
Fischer, R.
Савченко, М.Л.
Квон, З.Д.
Михайлов, Н.Н.
Дворецкий, С.А.
Weiss, D.
Квантовая емкость трехмерного топологического изолятора на основе HgTe
Физика низких температур
description Экспериментально изучена квантовая емкость, напрямую характеризующая плотность состояний высокоподвижных дираковских двумерных состояний, образующихся на поверхности напряженной пленки HgTe. Показано, что наблюдаемые в магнитоемкости квантовые осцилляции, в отличие от осцилляций в магнитотранспорте, где вклад дают все существующие типы носителей, соответствуют электронам на верхней поверхности пленки. Таким образом, емкостная спектроскопия является селективным методом для исследования свойств отдельной топологической поверхности даже в условиях большого количества объемных носителей. Благодаря этой особенности впервые получены данные о фазовом сдвиге осцилляций Шубникова–де Гааза, часто ассоциируемом с фазой Берри, для отдельного дираковского конуса, а также получена зависимость величины сдвига от положения уровня Ферми.
format Article
author Козлов, Д.А.
Bauer, D.
Ziegler, J.
Fischer, R.
Савченко, М.Л.
Квон, З.Д.
Михайлов, Н.Н.
Дворецкий, С.А.
Weiss, D.
author_facet Козлов, Д.А.
Bauer, D.
Ziegler, J.
Fischer, R.
Савченко, М.Л.
Квон, З.Д.
Михайлов, Н.Н.
Дворецкий, С.А.
Weiss, D.
author_sort Козлов, Д.А.
title Квантовая емкость трехмерного топологического изолятора на основе HgTe
title_short Квантовая емкость трехмерного топологического изолятора на основе HgTe
title_full Квантовая емкость трехмерного топологического изолятора на основе HgTe
title_fullStr Квантовая емкость трехмерного топологического изолятора на основе HgTe
title_full_unstemmed Квантовая емкость трехмерного топологического изолятора на основе HgTe
title_sort квантовая емкость трехмерного топологического изолятора на основе hgte
publisher Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
publishDate 2017
topic_facet XXI Уральская международная зимняя школа по физике полупроводников
url http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/129432
citation_txt Квантовая емкость трехмерного топологического изолятора на основе HgTe / Д.А. Козлов, D. Bauer, J. Ziegler, R. Fischer, М.Л. Савченко, З.Д. Квон, Н.Н. Михайлов, С.А. Дворецкий, D. Weiss // Физика низких температур. — 2017. — Т. 43, № 4. — С. 537-545. — Бібліогр.: 21 назв. — рос.
series Физика низких температур
work_keys_str_mv AT kozlovda kvantovaâemkostʹtrehmernogotopologičeskogoizolâtoranaosnovehgte
AT bauerd kvantovaâemkostʹtrehmernogotopologičeskogoizolâtoranaosnovehgte
AT zieglerj kvantovaâemkostʹtrehmernogotopologičeskogoizolâtoranaosnovehgte
AT fischerr kvantovaâemkostʹtrehmernogotopologičeskogoizolâtoranaosnovehgte
AT savčenkoml kvantovaâemkostʹtrehmernogotopologičeskogoizolâtoranaosnovehgte
AT kvonzd kvantovaâemkostʹtrehmernogotopologičeskogoizolâtoranaosnovehgte
AT mihajlovnn kvantovaâemkostʹtrehmernogotopologičeskogoizolâtoranaosnovehgte
AT dvoreckijsa kvantovaâemkostʹtrehmernogotopologičeskogoizolâtoranaosnovehgte
AT weissd kvantovaâemkostʹtrehmernogotopologičeskogoizolâtoranaosnovehgte
first_indexed 2023-10-18T20:57:43Z
last_indexed 2023-10-18T20:57:43Z
_version_ 1796151566149877760