Квантовая емкость трехмерного топологического изолятора на основе HgTe

Экспериментально изучена квантовая емкость, напрямую характеризующая плотность состояний высокоподвижных дираковских двумерных состояний, образующихся на поверхности напряженной пленки HgTe. Показано, что наблюдаемые в магнитоемкости квантовые осцилляции, в отличие от осцилляций в магнитотранспорте...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Видавець:Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
Дата:2017
Автори: Козлов, Д.А., Bauer, D., Ziegler, J., Fischer, R., Савченко, М.Л., Квон, З.Д., Михайлов, Н.Н., Дворецкий, С.А., Weiss, D.
Формат: Стаття
Мова:Russian
Опубліковано: Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України 2017
Назва видання:Физика низких температур
Теми:
Онлайн доступ:http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/129432
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Цитувати:Квантовая емкость трехмерного топологического изолятора на основе HgTe / Д.А. Козлов, D. Bauer, J. Ziegler, R. Fischer, М.Л. Савченко, З.Д. Квон, Н.Н. Михайлов, С.А. Дворецкий, D. Weiss // Физика низких температур. — 2017. — Т. 43, № 4. — С. 537-545. — Бібліогр.: 21 назв. — рос.

Репозиторії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

Схожі ресурси