Условия экспериментального наблюдения критического поведения продольного и холловского сопротивления в режиме квантового эффекта Холла в гетероструктурах на основе арсенида галлия и индия
Проведены исследования целочисленного квантового эффекта Холла (КЭХ) для гетеросистемы n-InGaAs/GaAs с одиночной и двойной квантовыми ямами до и после ИК подсветки в широком диапазоне магнитных полей 0–16 Tл и температур 0,05–4,2 К. Изучены особенности критического поведения продольного и холловско...
Збережено в:
Дата: | 2017 |
---|---|
Автори: | Клепикова, А.С., Арапов, Ю.Г., Гудина, С.В., Неверов, В.Н., Харус, Г.И., Шелушинина, Н.Г., Якунин, М.В., Звонков, Б.Н. |
Формат: | Стаття |
Мова: | Russian |
Опубліковано: |
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
2017
|
Назва видання: | Физика низких температур |
Теми: | |
Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/129453 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
Цитувати: | Условия экспериментального наблюдения критического поведения продольного и холловского сопротивления в режиме квантового эффекта Холла в гетероструктурах на основе арсенида галлия и индия / А.С. Клепикова, Ю.Г. Арапов, С.В. Гудина, В.Н. Неверов, Г.И. Харус, Н.Г. Шелушинина, М.В. Якунин, Б.Н. Звонков // Физика низких температур. — 2017. — Т. 43, № 4. — С. 596-604. — Бібліогр.: 32 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineСхожі ресурси
-
Экспериментальное обнаружение квантовых осцилляций аномального холловского сопротивления в кристаллах селенида ртути с примесями кобальта
за авторством: Лончаков, А.Т., та інші
Опубліковано: (2017) -
Фазовый переход из диэлектрического состояния в фазу квантового эффекта Холла в гетероструктурах n-InGaAs/GaAs
за авторством: Савельев, А.П., та інші
Опубліковано: (2017) -
Термоэлектрические свойства, эффект Шубникова–де Гааза и подвижности носителей заряда в теллуридах и селенидах висмута–сурьмы и нанокомпозитах на их основе
за авторством: Кульбачинский, В.А., та інші
Опубліковано: (2017) -
Физика высокопроводящих прозрачных материалов на основе широкозонного оксида цинка
за авторством: Лашкарев, Г.В., та інші
Опубліковано: (2017) -
Переходы с переносом заряда в оптических спектрах оксидов NicMg₁₋cO
за авторством: Чурманов, В.Н., та інші
Опубліковано: (2017)