Electronic Raman scattering through a stripe ordering transition in La₂₋xSrxNiO₄
We describe the results of electronic Raman scattering experiments in two differently doped single crystals of La₂₋xSrxNiO₄ (x=0.225 and 1/3). In B₁g symmetry a crossover from weakly interacting to pseudogap-like behavior is observed at a charge-ordering temperature Tco. In B₂g symmetry a redistribu...
Gespeichert in:
| Datum: | 2002 |
|---|---|
| Hauptverfasser: | , , , , , , , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | English |
| Veröffentlicht: |
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
2002
|
| Schriftenreihe: | Физика низких температур |
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/130241 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Electronic Raman scattering through a stripe ordering transition in La₂₋xSrxNiO₄ / V.P. Gnezdilov, Yu. G. Pashkevich, A.V. Yeremenko, P. Lemmens, G. Güntherodt, J.M. Tranquada, D.J. Buttrey, K. Nakajima // Физика низких температур. — 2002. — Т. 28, № 7. — С. 716-723. — Бібліогр.: 33 назв. — англ. |