Electronic Raman scattering through a stripe ordering transition in La₂₋xSrxNiO₄

We describe the results of electronic Raman scattering experiments in two differently doped single crystals of La₂₋xSrxNiO₄ (x=0.225 and 1/3). In B₁g symmetry a crossover from weakly interacting to pseudogap-like behavior is observed at a charge-ordering temperature Tco. In B₂g symmetry a redistribu...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Дата:2002
Автори: Gnezdilov, V.P., Pashkevich, Yu. G., Yeremenko, A.V., Lemmens, P., Güntherodt, G., Tranquada, J.M., Buttrey, D.J., Nakajima, K.
Формат: Стаття
Мова:English
Опубліковано: Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України 2002
Назва видання:Физика низких температур
Теми:
Онлайн доступ:http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/130241
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:Electronic Raman scattering through a stripe ordering transition in La₂₋xSrxNiO₄ / V.P. Gnezdilov, Yu. G. Pashkevich, A.V. Yeremenko, P. Lemmens, G. Güntherodt, J.M. Tranquada, D.J. Buttrey, K. Nakajima // Физика низких температур. — 2002. — Т. 28, № 7. — С. 716-723. — Бібліогр.: 33 назв. — англ.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine