Особливості п’єзоопору γ-опромінених кристалів n-Si у випадку симетричного розміщення осі деформації відносно всіх ізоенергетичних еліпсоїдів

Дослiджено п’єзоопiр γ-опромiнених кристалiв n-Si за умови, коли X||J|| [111]. Визначено величину змiни енергетичної щiлини мiж глибоким енергетичним рiвнем EC – 0,17 еВ i долинами зони провiдностi n-Si при одновiснiй деформацiї вздовж кристалографiчного напрямку [111]. Показано, що для даного крист...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Datum:2010
Hauptverfasser: Федосов, А.В., Луньов, С.В., Федосов, С.А.
Format: Artikel
Sprache:Ukrainian
Veröffentlicht: Відділення фізики і астрономії НАН України 2010
Schlagworte:
Online Zugang:http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/13405
Tags: Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:Особливості п’єзоопору γ-опромінених кристалів n-Si у випадку симетричного розміщення осі деформації відносно всіх ізоенергетичних еліпсоїдів / А.В. Федосов, С.В. Луньов, С.А. Федосов // Укр. фіз. журн. — 2010. — Т. 55, № 3. — С. 323-326. — Бібліогр.: 8 назв. — укр.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine