Особливості п’єзоопору γ-опромінених кристалів n-Si у випадку симетричного розміщення осі деформації відносно всіх ізоенергетичних еліпсоїдів

Дослiджено п’єзоопiр γ-опромiнених кристалiв n-Si за умови, коли X||J|| [111]. Визначено величину змiни енергетичної щiлини мiж глибоким енергетичним рiвнем EC – 0,17 еВ i долинами зони провiдностi n-Si при одновiснiй деформацiї вздовж кристалографiчного напрямку [111]. Показано, що для даного крист...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Дата:2010
Автори: Федосов, А.В., Луньов, С.В., Федосов, С.А.
Формат: Стаття
Мова:Ukrainian
Опубліковано: Відділення фізики і астрономії НАН України 2010
Теми:
Онлайн доступ:http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/13405
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:Особливості п’єзоопору γ-опромінених кристалів n-Si у випадку симетричного розміщення осі деформації відносно всіх ізоенергетичних еліпсоїдів / А.В. Федосов, С.В. Луньов, С.А. Федосов // Укр. фіз. журн. — 2010. — Т. 55, № 3. — С. 323-326. — Бібліогр.: 8 назв. — укр.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
id irk-123456789-13405
record_format dspace
spelling irk-123456789-134052010-11-09T12:02:04Z Особливості п’єзоопору γ-опромінених кристалів n-Si у випадку симетричного розміщення осі деформації відносно всіх ізоенергетичних еліпсоїдів Федосов, А.В. Луньов, С.В. Федосов, С.А. Тверде тіло Дослiджено п’єзоопiр γ-опромiнених кристалiв n-Si за умови, коли X||J|| [111]. Визначено величину змiни енергетичної щiлини мiж глибоким енергетичним рiвнем EC – 0,17 еВ i долинами зони провiдностi n-Si при одновiснiй деформацiї вздовж кристалографiчного напрямку [111]. Показано, що для даного кристалографiчного напрямку баричний коефiцiєнт змiни енергетичної щiлини є незначним, оскiльки змiщення самого глибокого рiвня EC – 0,17 еВ i долин зони провiдностi n-Si при деформацiї є практично однаковими за величиною. Исследовано пьезосопротивление -облученных кристаллов n-Si при условии, когда X||J|| [111]. Определено изменение величины энергетического зазора между глубоким энергетическим уровнем EC – 0,17 эВ и долинами зоны проводимости n-Si при одноосной деформации вдоль кристаллографического направления [111]. Показано, что для данного кристаллографического направления барический коэффициент изменения энергетического зазора является незначительным, поскольку сдвиги самого глубокого уровня EC – 0,17 эВ и долин зоны проводимости n-Si при деформации практически одинаковы по величине. The piezoresistance of -irradiated n-Si crystals is studied in the case where X||J|| [111]. A change of the energy gap between the deep energy level EC – 0.17 eV and the conduction band valleys in n-Si arising due to a uniaxial deformation along the crystallographic direction [111] is determined. It is shown that, for this crystallographic direction, the baric coefficient of a change of the energy gap is insignificant, since the shifts of the deepest level EC – 0.17 eV and the conduction band valleys in n-Si under deformation are practically identical. 2010 Article Особливості п’єзоопору γ-опромінених кристалів n-Si у випадку симетричного розміщення осі деформації відносно всіх ізоенергетичних еліпсоїдів / А.В. Федосов, С.В. Луньов, С.А. Федосов // Укр. фіз. журн. — 2010. — Т. 55, № 3. — С. 323-326. — Бібліогр.: 8 назв. — укр. 2071-0194 PACS 72.20.Fr http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/13405 621.315.592 uk Відділення фізики і астрономії НАН України
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
language Ukrainian
topic Тверде тіло
Тверде тіло
spellingShingle Тверде тіло
Тверде тіло
Федосов, А.В.
Луньов, С.В.
Федосов, С.А.
Особливості п’єзоопору γ-опромінених кристалів n-Si у випадку симетричного розміщення осі деформації відносно всіх ізоенергетичних еліпсоїдів
description Дослiджено п’єзоопiр γ-опромiнених кристалiв n-Si за умови, коли X||J|| [111]. Визначено величину змiни енергетичної щiлини мiж глибоким енергетичним рiвнем EC – 0,17 еВ i долинами зони провiдностi n-Si при одновiснiй деформацiї вздовж кристалографiчного напрямку [111]. Показано, що для даного кристалографiчного напрямку баричний коефiцiєнт змiни енергетичної щiлини є незначним, оскiльки змiщення самого глибокого рiвня EC – 0,17 еВ i долин зони провiдностi n-Si при деформацiї є практично однаковими за величиною.
format Article
author Федосов, А.В.
Луньов, С.В.
Федосов, С.А.
author_facet Федосов, А.В.
Луньов, С.В.
Федосов, С.А.
author_sort Федосов, А.В.
title Особливості п’єзоопору γ-опромінених кристалів n-Si у випадку симетричного розміщення осі деформації відносно всіх ізоенергетичних еліпсоїдів
title_short Особливості п’єзоопору γ-опромінених кристалів n-Si у випадку симетричного розміщення осі деформації відносно всіх ізоенергетичних еліпсоїдів
title_full Особливості п’єзоопору γ-опромінених кристалів n-Si у випадку симетричного розміщення осі деформації відносно всіх ізоенергетичних еліпсоїдів
title_fullStr Особливості п’єзоопору γ-опромінених кристалів n-Si у випадку симетричного розміщення осі деформації відносно всіх ізоенергетичних еліпсоїдів
title_full_unstemmed Особливості п’єзоопору γ-опромінених кристалів n-Si у випадку симетричного розміщення осі деформації відносно всіх ізоенергетичних еліпсоїдів
title_sort особливості п’єзоопору γ-опромінених кристалів n-si у випадку симетричного розміщення осі деформації відносно всіх ізоенергетичних еліпсоїдів
publisher Відділення фізики і астрономії НАН України
publishDate 2010
topic_facet Тверде тіло
url http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/13405
citation_txt Особливості п’єзоопору γ-опромінених кристалів n-Si у випадку симетричного розміщення осі деформації відносно всіх ізоенергетичних еліпсоїдів / А.В. Федосов, С.В. Луньов, С.А. Федосов // Укр. фіз. журн. — 2010. — Т. 55, № 3. — С. 323-326. — Бібліогр.: 8 назв. — укр.
work_keys_str_mv AT fedosovav osoblivostípêzooporugopromínenihkristalívnsiuvipadkusimetričnogorozmíŝennâosídeformacíívídnosnovsíhízoenergetičnihelípsoídív
AT lunʹovsv osoblivostípêzooporugopromínenihkristalívnsiuvipadkusimetričnogorozmíŝennâosídeformacíívídnosnovsíhízoenergetičnihelípsoídív
AT fedosovsa osoblivostípêzooporugopromínenihkristalívnsiuvipadkusimetričnogorozmíŝennâosídeformacíívídnosnovsíhízoenergetičnihelípsoídív
first_indexed 2023-10-18T16:51:14Z
last_indexed 2023-10-18T16:51:14Z
_version_ 1796140049046175744