Crystallization mechanism control during epitaxy from solution-melt
Main problems appearing during heteroepitaxy from solution-melts and requirements to time-temperature profiles at the crystallization front have been considered. The substrate cooling possibility by gas feeding to the reactor from outside to provide the crystallization conditions that consecutively...
Збережено в:
Дата: | 2006 |
---|---|
Автори: | Baganov, Ye.O., Shutov, S.V. |
Формат: | Стаття |
Мова: | English |
Опубліковано: |
НТК «Інститут монокристалів» НАН України
2006
|
Назва видання: | Functional Materials |
Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/134185 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
Цитувати: | Crystallization mechanism control during epitaxy from solution-melt / Ye.O. Baganov, S.V. Shutov // Functional Materials. — 2006. — Т. 13, № 3. — С. 438-442. — Бібліогр.: 7 назв. — англ. |
Репозиторії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineСхожі ресурси
-
Elastic strains influence during GaSb/InAs heteroepitaxy from liquid phase
за авторством: Shutov, S.V., та інші
Опубліковано: (2006) -
Properties of the Pb₁-ₓSnₓTe₁-ᵧSeᵧ epitaxial layers grown from the supersaturated melt-solution on dielectric and semiconductor substrates
за авторством: Tsarenko, O.N., та інші
Опубліковано: (2005) -
Simulation of strain fields in GaSb/InAs heteroepitaxial system
за авторством: Shutov, S.V., та інші
Опубліковано: (2006) -
Thermal state of hardening disc during extraction from melt in induction melting in sectional crystallizer
за авторством: D. A. Kalashnik, та інші
Опубліковано: (2018) -
Control of radiation-conductive heat exchange at crystal growth from melt
за авторством: Deshko, V.I., та інші
Опубліковано: (2008)