Elastic strains influence during GaSb/InAs heteroepitaxy from liquid phase

за авторством Shutov, S.V., Baganov, Ye.A.
Опубліковано 2006

Simulation of strain fields in GaSb/InAs heteroepitaxial system

за авторством Shutov, S.V., Baganov, Ye.A.
Опубліковано 2006

Crystallization mechanism control during epitaxy from solution-melt

за авторством Baganov, Ye.O., Shutov, S.V.
Опубліковано 2006

Change of parameters of semiinsulated undoped GaAs nonstoichiometric crystals under annealing

за авторством Shutov, S.V., Shtan’ko, A.D., Kurak, V.V., Litvinova, M.B.
Опубліковано 2007

Radiative recombination through EL2 centers in selenium and cadmium single crystals doped gallium arsenide

за авторством Litvinova, M.B., Shutov, S.V., Shtan`ko, A.D., Kurak, V.V.
Опубліковано 2006

Enhancing parameters of silicon varactors using laser gettering

за авторством Vikulin, I.M., Litvinenko, V.N., Shutov, S.V., Maronchuk, A.I., Demenskiy, A.N., Glukhova, V.I.
Опубліковано 2018