Харвестер відкритої науки НАН України

Crystallization mechanism control during epitaxy from solution-melt

von Baganov, Ye.O., Shutov, S.V.
Veröffentlicht in Functional Materials (2006)

Simulation of strain fields in GaSb/InAs heteroepitaxial system

von Shutov, S.V., Baganov, Ye.A.
Veröffentlicht in Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2006)

Elastic strains influence during GaSb/InAs heteroepitaxy from liquid phase

von Shutov, S.V., Baganov, Ye.A.
Veröffentlicht in Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2006)

Change of parameters of semiinsulated undoped GaAs nonstoichiometric crystals under annealing

von Shutov, S.V., Shtan’ko, A.D., Kurak, V.V., Litvinova, M.B.
Veröffentlicht in Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2007)

Radiative recombination through EL2 centers in selenium and cadmium single crystals doped gallium arsenide

von Litvinova, M.B., Shutov, S.V., Shtan`ko, A.D., Kurak, V.V.
Veröffentlicht in Functional Materials (2006)

Поліпшення параметрів кремнієвих варикапів при використанні лазерного гетерування

von Vikulin, I. M., Litvinenko, V. N., Shutov, S. V., Maronchuk, A. I., Demenskiy, A. N., Glukhova, V. I.
Veröffentlicht 2018

Enhancing parameters of silicon varactors using laser gettering

von Vikulin, I.M., Litvinenko, V.N., Shutov, S.V., Maronchuk, A.I., Demenskiy, A.N., Glukhova, V.I.
Veröffentlicht in Технология и конструирование в электронной аппаратуре (2018)

Исследование термометрических характеристик GaP-диодов p+–n-типа

von Krasnov, V. A., Shwarts, Yu. M., Shwarts, М. M., Kopko, D. P., Erohin, S. Yu., Fonkich, A. М., Shutov, S. V., Sypko, N. I.
Veröffentlicht 2008