Результати пошуку - Shutov, S.V.
- Показ 1 - 9 результатів із 9
-
1
Simulation of strain fields in GaSb/InAs heteroepitaxial system за авторством Shutov, S.V., Baganov, Ye.A.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2006)Отримати повний текст
Стаття -
2
Elastic strains influence during GaSb/InAs heteroepitaxy from liquid phase за авторством Shutov, S.V., Baganov, Ye.A.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2006)Отримати повний текст
Стаття -
3
Crystallization mechanism control during epitaxy from solution-melt за авторством Baganov, Ye.O., Shutov, S.V.
Опубліковано в: Functional Materials (2006)Отримати повний текст
Стаття -
4
-
5
-
6
Radiative recombination through EL2 centers in selenium and cadmium single crystals doped gallium arsenide за авторством Litvinova, M.B., Shutov, S.V., Shtan`ko, A.D., Kurak, V.V.
Опубліковано в: Functional Materials (2006)Отримати повний текст
Стаття -
7
Поліпшення параметрів кремнієвих варикапів при використанні лазерного гетерування за авторством Vikulin, I. M., Litvinenko, V. N., Shutov, S. V., Maronchuk, A. I., Demenskiy, A. N., Glukhova, V. I.
Опубліковано 2018Отримати повний текст
Стаття -
8
Enhancing parameters of silicon varactors using laser gettering за авторством Vikulin, I.M., Litvinenko, V.N., Shutov, S.V., Maronchuk, A.I., Demenskiy, A.N., Glukhova, V.I.
Опубліковано в: Технология и конструирование в электронной аппаратуре (2018)Отримати повний текст
Стаття -
9
Исследование термометрических характеристик GaP-диодов p+–n-типа за авторством Krasnov, V. A., Shwarts, Yu. M., Shwarts, М. M., Kopko, D. P., Erohin, S. Yu., Fonkich, A. М., Shutov, S. V., Sypko, N. I.
Опубліковано 2008Отримати повний текст
Стаття