Optical properties of silicon carbide obtained by direct ion deposition

Optical transmission, absorption and reflection spectra of silicon carbide thin films deposited on sapphire substrate from the carbon and silicon ionic flows have been investigated. The films have been obtained at various deposition paramenters, i.e., under variation of ion energy and substrate temp...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Дата:2006
Автори: Lopin, A.V., Semenov, A.V., Puzikov, V.M., Trushkovsky, A.G.
Формат: Стаття
Мова:English
Опубліковано: НТК «Інститут монокристалів» НАН України 2006
Назва видання:Functional Materials
Онлайн доступ:http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/135067
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:Optical properties of silicon carbide obtained by direct ion deposition / A.V. Lopin, A.V. Semenov, V.M. Puzikov, A.G. Trushkovsky // Functional Materials. — 2006. — Т. 13, № 4. — С. 631-636. — Бібліогр.: 9 назв. — англ.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine