The influence of high energy irradiation on electrical and dissipative properties of silicon single crystals
Behavior of internal friction δ and electric resistance in silicon single crystals with low dislocation density (10-100 cm⁻²) has been studied during of bombardment with α-particles. Effect of strengthening has been found as well as change of direct hysteresis into reverse one in amplitude dependenc...
Збережено в:
| Видавець: | НТК «Інститут монокристалів» НАН України |
|---|---|
| Дата: | 2006 |
| Автори: | , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | English |
| Опубліковано: |
НТК «Інститут монокристалів» НАН України
2006
|
| Назва видання: | Functional Materials |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/135078 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Цитувати: | The influence of high energy irradiation on electrical and dissipative properties of silicon single crystals / N.M. Pelikhaty, N.Ya. Rokhmanov, V.V. Onischnko // Functional Materials. — 2006. — Т. 13, № 4. — С. 613-617. — Бібліогр.: 9 назв. — англ. |