Layer interaction in thin film CIS based photovoltaic device
The function of thin film photovoltaic device on the base of copper indium diselenide (CIS) depends immediately on the character of interactions in the layers being in contact therein: base CIS layer, buffer ZnSe layer, transparent conductive film of indium-tin oxide (ITO). Such interaction may occu...
Збережено в:
Видавець: | НТК «Інститут монокристалів» НАН України |
---|---|
Дата: | 2005 |
Автори: | , , , , , , |
Формат: | Стаття |
Мова: | English |
Опубліковано: |
НТК «Інститут монокристалів» НАН України
2005
|
Назва видання: | Functional Materials |
Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/135338 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Цитувати: | Layer interaction in thin film CIS based photovoltaic device / N.P. Klochko, N.D. Volkova, M.V. Dobrotvorskaya, P.V. Mateychenko, V.R. Kopach, V.I. Shkaleto, S.N. Karasyov // Functional Materials. — 2005. — Т. 12, № 2. — С. 228-233. — Бібліогр.: 12 назв. — англ. |