Effect of prolonged holding under contact loading on the peculiarities of phase changes in silicon
It was shown that prolonged holding under the peak load during indentation of Si (100) led to the creep of material even at room temperature that became possible due to the phase transition into more plastic metallic b-Sn phase. The end structural phases in the indentation zone, studied by micro-...
Збережено в:
| Видавець: | Фізико-механічний інститут ім. Г.В. Карпенка НАН України |
|---|---|
| Дата: | 2015 |
| Автори: | , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | English |
| Опубліковано: |
Фізико-механічний інститут ім. Г.В. Карпенка НАН України
2015
|
| Назва видання: | Фізико-хімічна механіка матеріалів |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/135757 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Цитувати: | Effect of prolonged holding under contact loading on the peculiarities of phase changes in silicon / O. Shikimaka, A. Prisacaru, A. Burlacu // Фізико-хімічна механіка матеріалів. — 2015. — Т. 51, № 3. — С. 100-106. — Бібліогр.: 15 назв. — англ. |