Особенности внутренней структуры крупных полупроводниковых монокристаллов алмаза, выращенных методом температурного градиента

Рассмотрена внутренняя структура кристаллов алмаза типа IIb, выращенных в системах на основе Fe–Al, легированных бором. Получены топограммы ИК–поглощения пластин и установлена зависимость их зонально-секториальной структуры от ориентации сечения относительно исходного кристалла и условий его выра...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Дата:2012
Автори: Чепугов, А.П., Емельянов, И.А., Лысаковский, В.В., Лысенко, О.Г.
Формат: Стаття
Мова:Russian
Опубліковано: Інститут надтвердих матеріалів ім. В.М. Бакуля НАН України 2012
Назва видання:Породоразрушающий и металлообрабатывающий инструмент – техника и технология его изготовления и применения
Теми:
Онлайн доступ:http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/136007
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:Особенности внутренней структуры крупных полупроводниковых монокристаллов алмаза, выращенных методом температурного градиента / А.П. Чепугов, И.А. Емельянов, В.В. Лысаковский, О.Г. Лысенко // Породоразрушающий и металлообрабатывающий инструмент – техника и технология его изготовления и применения: Сб. науч. тр. — К.: ІНМ ім. В.М. Бакуля НАН України, 2012. — Вип. 15. — С. 277-282. — Бібліогр.: 6 назв. — рос.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine