Особенности внутренней структуры крупных полупроводниковых монокристаллов алмаза, выращенных методом температурного градиента

• Дата: 2012
• Автори: Чепугов, А.П., Емельянов, И.А., Лысаковский, В.В., Лысенко, О.Г.
• Формат: Стаття
• Мова: Russian
• Опубліковано: Інститут надтвердих матеріалів ім. В.М. Бакуля НАН України 2012
• Назва видання: Породоразрушающий и металлообрабатывающий инструмент – техника и технология его изготовления и применения
• Теми: Инструментальные, конструкционные и функциональные материалы на основе алмаза и кубического нитрида бора
• Онлайн доступ: http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/136007
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Цитувати: Особенности внутренней структуры крупных полупроводниковых монокристаллов алмаза, выращенных методом температурного градиента / А.П. Чепугов, И.А. Емельянов, В.В. Лысаковский, О.Г. Лысенко // Породоразрушающий и металлообрабатывающий инструмент – техника и технология его изготовления и применения: Сб. науч. тр. — К.: ІНМ ім. В.М. Бакуля НАН України, 2012. — Вип. 15. — С. 277-282. — Бібліогр.: 6 назв. — рос.

Рассмотрена внутренняя структура кристаллов алмаза типа IIb, выращенных в системах на основе Fe–Al, легированных бором. Получены топограммы ИК–поглощения пластин и установлена зависимость их зонально-секториальной структуры от ориентации сечения относительно исходного кристалла и условий его выращивания.