Optimization of technology for fabrication of sectional nuclear radiation detectors based on high-resistance silicon
On the basis of experimental studies the surface-barrier technology for fabrication of sectional nuclear radiation detectors with using of the high-resistance n-Si plates of large diameter (~ 100 mm) was optimized. The 9-sectional detector matrixes were manufactured. In such matrix each section is a...
Збережено в:
Дата: | 2017 |
---|---|
Автори: | , , , , , |
Формат: | Стаття |
Мова: | English |
Опубліковано: |
Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України
2017
|
Назва видання: | Вопросы атомной науки и техники |
Теми: | |
Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/136022 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
Цитувати: | Optimization of technology for fabrication of sectional nuclear radiation detectors based on high-resistance silicon / G.P. Gaidar, S.V. Berdnichenko, V.G. Vorobyov, V.I. Kochkin, V.F. Lastovetskiy, P.G. Litovchenko // Вопросы атомной науки и техники. — 2017. — № 2. — С. 201-208. — Бібліогр.: 25 назв. — англ. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraineid |
irk-123456789-136022 |
---|---|
record_format |
dspace |
spelling |
irk-123456789-1360222018-06-16T03:03:33Z Optimization of technology for fabrication of sectional nuclear radiation detectors based on high-resistance silicon Gaidar, G.P. Berdnichenko, S.V. Vorobyov, V.G. Kochkin, V.I. Lastovetskiy, V.F. Litovchenko, P.G. Диагностика и методы исследований On the basis of experimental studies the surface-barrier technology for fabrication of sectional nuclear radiation detectors with using of the high-resistance n-Si plates of large diameter (~ 100 mm) was optimized. The 9-sectional detector matrixes were manufactured. In such matrix each section is a separate detector with the thickness of sensitive area W ≤ 350 μm, the working area S = 4 cm², and the energy resolution R = 50…75 keV under irradiation by three-component α-source. The electrophysical and spectrometric characteristics of the sectional silicon detectors were determined. The manufactured detectors can be used in the nuclear experiments involving heavy ions at the low yields of reaction products. На основі проведених експериментальних досліджень оптимізовано поверхнево-бар'єрну технологію виготовлення секційних детекторів ядерних випромінювань з використанням пластин високоомного n-Si великого діаметра (~ 100 мм). Виготовлено 9-секційні детекторні матриці, де кожна секція є окремим детектором з товщиною чутливої області W ≤ 350 мкм, робочою площею S = 4 см² та енергетичною роздільною здатністю R = 50…75 кеВ при опроміненні трикомпонентним α-джерелом. Визначено електрофізичні та спектрометричні характеристики секційних кремнієвих детекторів. Виготовлені детектори можуть бути використані в ядерних експериментах за участю важких іонів при низьких виходах продуктів реакцій. На основе проведенных экспериментальных исследований оптимизирована поверхностно-барьерная технология изготовления секционных детекторов ядерных излучений с использованием пластин высокоомного n-Si большого диаметра (~ 100 мм). Изготовлены 9-секционные детекторные матрицы, где каждая секция является отдельным детектором с толщиной чувствительной области W ≤ 350 мкм, рабочей площадью S = 4 см² и энергетическим разрешением R = 50…75 кэВ при облучении трехкомпонентным α-источником. Определены электрофизические и спектрометрические характеристики секционных кремниевых детекторов. Изготовленные детекторы могут быть использованы в ядерных экспериментах с участием тяжелых ионов при низких выходах продуктов реакций. 2017 Article Optimization of technology for fabrication of sectional nuclear radiation detectors based on high-resistance silicon / G.P. Gaidar, S.V. Berdnichenko, V.G. Vorobyov, V.I. Kochkin, V.F. Lastovetskiy, P.G. Litovchenko // Вопросы атомной науки и техники. — 2017. — № 2. — С. 201-208. — Бібліогр.: 25 назв. — англ. 1562-6016 PACS: 29.00.00; 29.40.Wk http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/136022 en Вопросы атомной науки и техники Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України |
institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
collection |
DSpace DC |
language |
English |
topic |
Диагностика и методы исследований Диагностика и методы исследований |
spellingShingle |
Диагностика и методы исследований Диагностика и методы исследований Gaidar, G.P. Berdnichenko, S.V. Vorobyov, V.G. Kochkin, V.I. Lastovetskiy, V.F. Litovchenko, P.G. Optimization of technology for fabrication of sectional nuclear radiation detectors based on high-resistance silicon Вопросы атомной науки и техники |
description |
On the basis of experimental studies the surface-barrier technology for fabrication of sectional nuclear radiation detectors with using of the high-resistance n-Si plates of large diameter (~ 100 mm) was optimized. The 9-sectional detector matrixes were manufactured. In such matrix each section is a separate detector with the thickness of sensitive area W ≤ 350 μm, the working area S = 4 cm², and the energy resolution R = 50…75 keV under irradiation by three-component α-source. The electrophysical and spectrometric characteristics of the sectional silicon detectors were determined. The manufactured detectors can be used in the nuclear experiments involving heavy ions at the low yields of reaction products. |
format |
Article |
author |
Gaidar, G.P. Berdnichenko, S.V. Vorobyov, V.G. Kochkin, V.I. Lastovetskiy, V.F. Litovchenko, P.G. |
author_facet |
Gaidar, G.P. Berdnichenko, S.V. Vorobyov, V.G. Kochkin, V.I. Lastovetskiy, V.F. Litovchenko, P.G. |
author_sort |
Gaidar, G.P. |
title |
Optimization of technology for fabrication of sectional nuclear radiation detectors based on high-resistance silicon |
title_short |
Optimization of technology for fabrication of sectional nuclear radiation detectors based on high-resistance silicon |
title_full |
Optimization of technology for fabrication of sectional nuclear radiation detectors based on high-resistance silicon |
title_fullStr |
Optimization of technology for fabrication of sectional nuclear radiation detectors based on high-resistance silicon |
title_full_unstemmed |
Optimization of technology for fabrication of sectional nuclear radiation detectors based on high-resistance silicon |
title_sort |
optimization of technology for fabrication of sectional nuclear radiation detectors based on high-resistance silicon |
publisher |
Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України |
publishDate |
2017 |
topic_facet |
Диагностика и методы исследований |
url |
http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/136022 |
citation_txt |
Optimization of technology for fabrication of sectional nuclear radiation detectors based on high-resistance silicon / G.P. Gaidar, S.V. Berdnichenko, V.G. Vorobyov, V.I. Kochkin, V.F. Lastovetskiy, P.G. Litovchenko // Вопросы атомной науки и техники. — 2017. — № 2. — С. 201-208. — Бібліогр.: 25 назв. — англ. |
series |
Вопросы атомной науки и техники |
work_keys_str_mv |
AT gaidargp optimizationoftechnologyforfabricationofsectionalnuclearradiationdetectorsbasedonhighresistancesilicon AT berdnichenkosv optimizationoftechnologyforfabricationofsectionalnuclearradiationdetectorsbasedonhighresistancesilicon AT vorobyovvg optimizationoftechnologyforfabricationofsectionalnuclearradiationdetectorsbasedonhighresistancesilicon AT kochkinvi optimizationoftechnologyforfabricationofsectionalnuclearradiationdetectorsbasedonhighresistancesilicon AT lastovetskiyvf optimizationoftechnologyforfabricationofsectionalnuclearradiationdetectorsbasedonhighresistancesilicon AT litovchenkopg optimizationoftechnologyforfabricationofsectionalnuclearradiationdetectorsbasedonhighresistancesilicon |
first_indexed |
2023-10-18T21:08:02Z |
last_indexed |
2023-10-18T21:08:02Z |
_version_ |
1796152005537824768 |