Photocurrent generation in single electron tunneling transistors

A single-electron tunneling transistor (SET) with a non-equilibrium mode population in one of the leads is analyzed theoretically. We model transport through a dot coupled to a channel, both formed by gates from the two-dimensional electron gas of a GaAs/AlGaAs heterostructure. The non-equilibrium m...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Дата:1999
Автор: Tageman, O.
Мова:English
Опубліковано: Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України 1999
Назва видання:Физика низких температур
Теми:
Онлайн доступ:http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/136222
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:Photocurrent generation in single electron tunneling transistors / O. Tageman // Физика низких температур. — 1999. — Т. 25, № 3. — С. 290-297. — Бібліогр.: 26 назв. — англ.

Репозиторії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine