The aggregation of point defetc in dislocation-free silicon single crystals

The aggregation of point defetc in dislocation-free silicon single crystals

The formation kinetics for grown-in microdefects nucleation centers in dislocation-free silicon single crystals has been considered. It has been demonstrated that the diffusion-controlled aggregation of point defects defines the process of grown-in microdefects formation. Decomposition of oversatura...

Повний опис

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Дата:	2007
Автори:	Talanin, V.I., Talanin, I.E., Voronin, A.A., Sirota, A.V.
Формат:	Стаття
Мова:	English
Опубліковано:	НТК «Інститут монокристалів» НАН України 2007
Назва видання:	Functional Materials
Онлайн доступ:	http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/136429
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:	The aggregation of point defetc in dislocation-free silicon single crystals / V.I. Talanin, I.E. Talanin, A.A. Voronin, A.V. Sirota // Functional Materials. — 2007. — Т. 14, № 1. — С. 48-52. — Бібліогр.: 14 назв. — англ.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

Схожі ресурси

Recombination parameters of point defects in dislocation-free silicon single crystals
за авторством: Talanin, V.I., та інші
Опубліковано: (2006)

Modelling vacancy microvoid formation in dislocation-free silicon single crystals
за авторством: Talanin, V.I., та інші
Опубліковано: (2006)

Classification of microdefects in semiconducting silicon
за авторством: Talanin, V.I., та інші
Опубліковано: (2003)

Electroplastic effect associated with the dislocation generation in the initially dislocation-free silicon filamentary crystals
за авторством: Ermakov, A.P., та інші
Опубліковано: (2004)

Nucleation, growth and transformation of microdefects in FZ-Si
за авторством: Talanin, V.I., та інші
Опубліковано: (2004)

Evolution of a dislocation structure during the growth silicon single crystals of n– and p–type
за авторством: Azarenkov, N.A., та інші
Опубліковано: (2020)

Dynamic damping of dislocations with phonons in Kbr single crystals
за авторством: Petchenko, A.M., та інші
Опубліковано: (2006)

Investigation of dislocations in Ge single crystals by scanning electron beam
за авторством: Nadtochy, V., та інші
Опубліковано: (2004)

Dependence of minority charge carriers lifetime on point defects type and their concentration in single-crystal silicon
за авторством: Zaitsev, R.V., та інші
Опубліковано: (2011)

Dislocation distribution in ruby single crystals under loading at high temperatures
за авторством: Bosin, M.E., та інші
Опубліковано: (2004)

Polishing substrates of single crystal silicon carbide and sapphire for optoelectronics
за авторством: Filatov, O.Yu., та інші
Опубліковано: (2016)

To the question of channeling dislocation
за авторством: Krasil’nikov, V.V., та інші
Опубліковано: (2001)

Structural features of doped silicon single crystals
за авторством: Azarenkov, N.A., та інші
Опубліковано: (2022)

The methods for the calculation of the elastic interaction of point defects with a dislocation loops in hexagonal crystals
за авторством: Trotsenko, O.G., та інші
Опубліковано: (2017)

Procedure of nanodimensional amorphous-microcrystalline structure formation by radiation in single crystal silicon
за авторством: Dovbnya, A.N., та інші
Опубліковано: (2009)

Features of exciton localization in a single J-aggregate
за авторством: Katrunov, I.K., та інші
Опубліковано: (2010)

Increasing the radiation resistance of single-crystal silicon epitaxial layers
за авторством: Sh. D. Kurmashev, та інші
Опубліковано: (2014)

Change of dislocations density in single crystals of various types diamonds depending on the growth temperature and rate
за авторством: Suprun, O.M., та інші
Опубліковано: (2016)

Radiation destruction and internal friction in silicon single crystals
за авторством: Ryzhikov, V.D., та інші
Опубліковано: (2004)

Investigation of Relaxation Processes in Naturally-Aged Single Crystals of Silicon
за авторством: Ye. I. Kurek, та інші
Опубліковано: (2013)

Effect of dislocation hindering during plastic deformation on the photoluminescence of Mn2+ ions in ZnS single crystals
за авторством: T. A. Prokofiev, та інші
Опубліковано: (2022)

The dislocation unpinning from stoppers in KBr single crystals сaused by elastic stresses and temperature
за авторством: Petchenko, О.M., та інші
Опубліковано: (2019)

Elastic interaction energy of point defects with a basal dislocation loop in zirconium
за авторством: Trotsenko, O.G., та інші
Опубліковано: (2020)

Effect of dislocation hindering during plastic deformation on the photoluminescence of Mn2+ ions in ZnS single crystals
за авторством: T. A. Prokofiev, та інші
Опубліковано: (2022)

Features of ultrasound absorption by dislocations in subgrain-free Cs0.2Hg0.8Te crystals
за авторством: I. O. Lysiuk, та інші
Опубліковано: (2014)

Features of ultrasound absorption by dislocations in subgrain-free Cs0.2Hg0.8Te crystals
за авторством: I. O. Lysiuk, та інші
Опубліковано: (2014)

Features of tensoresistance in single crystals of germanium and silicon with different dopants
за авторством: Baranskii, P.I., та інші
Опубліковано: (2016)

Features of tensoresistance in single crystals of germanium and silicon with different dopants
за авторством: P. I. Baranskii, та інші
Опубліковано: (2016)

Comprehensive investigation of defects in highly perfect silicon single crystals
за авторством: Prokopenko, I.V., та інші
Опубліковано: (2000)

Numerical calculation of the dislocation basis loop bias in hexagonal crystal
за авторством: Babich, A.V., та інші
Опубліковано: (2019)

nvestigations of near dislocation clusters of point defects in CdZnTe crystals by using the Hall method under the ultrasound loading the crystals
за авторством: Ya. M. Olikh, та інші
Опубліковано: (2017)

Computer simulation and analytic description of the structural defects in two-dimensional limited in size crystals: free boundary, dislocations, crowdions
за авторством: V. D. Natsik, та інші
Опубліковано: (2018)

Conversion of dislocation oscillation waves to spin ones near the OPT temperatures
за авторством: Sirota, D.I., та інші
Опубліковано: (2005)

Polishing of opto-electronic equipment elements from single-crystal silicon carbide
за авторством: Ju. D. Filatov, та інші
Опубліковано: (2015)

An influence of gamma-irradiation and ²³⁸U fragments on single-crystal silicon properties
за авторством: Dovbnya, A.N., та інші
Опубліковано: (2006)

Study of dynamic drag of dislocations in KCI crystals with impurities and different dislocation structure
за авторством: Petchenko, О.M., та інші
Опубліковано: (2021)

Calculated images of dislocations in crystals on section topograms
за авторством: Novіkov, S.M., та інші
Опубліковано: (2010)

Effect of crystal pre-straining on phonon damping of dislocations
за авторством: Petchenko, A.M., та інші
Опубліковано: (2008)

Effect of a weak constant magnetic field on the silicon single crystal structure
за авторством: Makara, V.A., та інші
Опубліковано: (2011)

Dynamic damping of dislocations in the irradiated LiF crystals
за авторством: Petchenko, G.A.
Опубліковано: (2012)