Optical properties of Ge-As-S thin films
Thin Ge-As-S films have been prepared by thermal vacuum evaporation. Optical parameters and thickness values of the films have been calculated basing on transmission spectra. The dispersion dependences of the refractive index have been shown to be described well by the single oscillator model. The o...
Збережено в:
Дата: | 2009 |
---|---|
Автори: | Tolmachov, I.D., Stronski, A.V. |
Формат: | Стаття |
Мова: | English |
Опубліковано: |
НТК «Інститут монокристалів» НАН України
2009
|
Назва видання: | Functional Materials |
Теми: | |
Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/136625 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
Цитувати: | Optical properties of Ge-As-S thin films // I.D. Tolmachov, A.V. Stronski // Functional Materials. — 2009. — Т. 16, № 1. — С. 32-35. — Бібліогр.: 6 назв. — англ. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineСхожі ресурси
-
Optical and photoelectrical properties of Langmuir-Blodgett diphthalocyanine thin films
за авторством: Alpatova, A.V., та інші
Опубліковано: (2010) -
Influence of ion implantation on optical properties of thin Pd films on lithium niobate
за авторством: Lysiuk, V.O., та інші
Опубліковано: (2010) -
Influence of ion implantation on optical properties of thin Pd films on lithium niobate
за авторством: Lysiuk, V.O., та інші
Опубліковано: (2011) -
Thin films of Cu₂ZnSnS₄ for solar cells: optical and structural properties
за авторством: Babichuk, I.S., та інші
Опубліковано: (2013) -
Optical properties of AlN/n-Si(111) films obtained by method of HF reactive magnetron sputtering
за авторством: Zayats, M.S., та інші
Опубліковано: (2010)