Synthesis of charged silica films of porous structure
A new technique has been proposed to obtain thin charged dielectric silica films with porous structure on a Si surface. The film composition and charge state of the dielectric/semiconductor system obtained have been studied. Thickness and porosity degree of the synthesized films have been estimated....
Збережено в:
| Дата: | 2008 |
|---|---|
| Автори: | , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | English |
| Опубліковано: |
НТК «Інститут монокристалів» НАН України
2008
|
| Назва видання: | Functional Materials |
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/137233 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Synthesis of charged silica films of porous structure / Yu.S. Zharkikh, S.V. Lysochenko, O.A. Pylypenko, O.V. Tretyak // Functional Materials. — 2008. — Т. 15, № 1. — С. 127-130. — Бібліогр.: 10 назв. — англ. |