The influence of point defects on the temperature dependence of quasi-two-dimensional 2H-NbSe₂ resistivity
The processes of point defects forming in quasi-two-dimensional 2H-NbSe₂ crystals were studied experimentally by measuring the temperature-time resistivity dependencies in the temperature range 300-500 K. It is found out that the special property of (selenium vacancies) formation is the dependence o...
Збережено в:
| Дата: | 2005 |
|---|---|
| Автори: | , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | English |
| Опубліковано: |
НТК «Інститут монокристалів» НАН України
2005
|
| Назва видання: | Functional Materials |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/137632 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | The influence of point defects on the temperature dependence of quasi-two-dimensional 2H-NbSe₂ resistivity / A.A. Mamalui, T.N. Shelest, N.B. Fatyanova, V.A. Sirenko // Functional Materials. — 2005. — Т. 12, № 3. — С. 521-525. — Бібліогр.: 13 назв. — англ. |