Photoluminescence and electrophysical properties of p-type ZnO layers implanted with V Group elements

Ion implantation of arsenic and nitrogen into zinc oxide film (As and N being acceptor impurities in ZnO) has been shown to result in formation of the hole conductivity only if the film is annealed in the presence of oxygen radicals. The ion implantation and sub- sequent anneal influence no...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Дата:2005
Автори: Kotlyarevsky, M.B., Rogozin, I.V., Marakhovsky, O.V.
Формат: Стаття
Мова:English
Опубліковано: НТК «Інститут монокристалів» НАН України 2005
Назва видання:Functional Materials
Онлайн доступ:http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/138871
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:Photoluminescence and electrophysical properties of p-type ZnO layers implanted with V Group elements / M.B. Kotlyarevsky, I.V. Rogozin, O.V. Marakhovsky // Functional Materials. — 2005. — Т. 12, № 4. — С. 616-621. — Бібліогр.: 19 назв. — англ.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine