Photoluminescence and electrophysical properties of p-type ZnO layers implanted with V Group elements
Ion implantation of arsenic and nitrogen into zinc oxide film (As and N being acceptor impurities in ZnO) has been shown to result in formation of the hole conductivity only if the film is annealed in the presence of oxygen radicals. The ion implantation and sub- sequent anneal influence no...
Збережено в:
| Дата: | 2005 |
|---|---|
| Автори: | , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | English |
| Опубліковано: |
НТК «Інститут монокристалів» НАН України
2005
|
| Назва видання: | Functional Materials |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/138871 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Photoluminescence and electrophysical properties of p-type ZnO layers implanted with V Group elements / M.B. Kotlyarevsky, I.V. Rogozin, O.V. Marakhovsky // Functional Materials. — 2005. — Т. 12, № 4. — С. 616-621. — Бібліогр.: 19 назв. — англ. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
irk-123456789-138871 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
irk-123456789-1388712018-06-20T03:02:43Z Photoluminescence and electrophysical properties of p-type ZnO layers implanted with V Group elements Kotlyarevsky, M.B. Rogozin, I.V. Marakhovsky, O.V. Ion implantation of arsenic and nitrogen into zinc oxide film (As and N being acceptor impurities in ZnO) has been shown to result in formation of the hole conductivity only if the film is annealed in the presence of oxygen radicals. The ion implantation and sub- sequent anneal influence not only the electric properties but also the photoluminescence spectra of ZnO:Ga:As⁺ (ZnO:Ga:N⁺) layers. The luminescence bands due to As and N introduction appear in the UV and visible spectral regions. Показано, що iонна iмплантацiя миш'яку (азоту) у плiвку оксиду Цинку (As i N як акцепторна домiшка у ZnO) може приводити до формування дiркового типу провiдностi тiльки у випадку вiдпалу в атмосферi радикалiв кисню. Iонна iмплантацiя i наступний вiдпал впливають не тiльки на електричнi властивостi шарiв :Ga:As⁺ ZnO (ZnO:Ga:N⁺), але й на iхнi спектри фотолюмiнесценцii. Смуги люмiнесценцii, що викликанi впровадженням As i N, спостерiгаються в ультрафiолетовiй i видимiй областях спектра. Показано, что ионная имплантация мышьяка (азота) в пленку оксида Цинка (As и N как акцепторная примесь в ZnO) может приводить к формированию дырочного типа проводимости только в случае отжига в атмосфере радикалов кислорода. Ионная имплантация и последующий отжиг влияют не только на электрические свойства слоев ZnO:Ga:As⁺ (ZnO:Ga:N⁺), но и на их спектры фотолюминесценции. Полосы люминесценции, которые вызваны внедрением As и N, наблюдаются в ультрафиолетовой и видимой областях спектра. 2005 Article Photoluminescence and electrophysical properties of p-type ZnO layers implanted with V Group elements / M.B. Kotlyarevsky, I.V. Rogozin, O.V. Marakhovsky // Functional Materials. — 2005. — Т. 12, № 4. — С. 616-621. — Бібліогр.: 19 назв. — англ. 1027-5495 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/138871 en Functional Materials НТК «Інститут монокристалів» НАН України |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| language |
English |
| description |
Ion implantation of arsenic and nitrogen into zinc oxide film (As and N being acceptor impurities in ZnO) has been shown to result in formation of the hole conductivity only if the film is annealed in the presence of oxygen radicals. The ion implantation and sub- sequent anneal influence not only the electric properties but also the photoluminescence spectra of ZnO:Ga:As⁺ (ZnO:Ga:N⁺) layers. The luminescence bands due to As and N introduction appear in the UV and visible spectral regions. |
| format |
Article |
| author |
Kotlyarevsky, M.B. Rogozin, I.V. Marakhovsky, O.V. |
| spellingShingle |
Kotlyarevsky, M.B. Rogozin, I.V. Marakhovsky, O.V. Photoluminescence and electrophysical properties of p-type ZnO layers implanted with V Group elements Functional Materials |
| author_facet |
Kotlyarevsky, M.B. Rogozin, I.V. Marakhovsky, O.V. |
| author_sort |
Kotlyarevsky, M.B. |
| title |
Photoluminescence and electrophysical properties of p-type ZnO layers implanted with V Group elements |
| title_short |
Photoluminescence and electrophysical properties of p-type ZnO layers implanted with V Group elements |
| title_full |
Photoluminescence and electrophysical properties of p-type ZnO layers implanted with V Group elements |
| title_fullStr |
Photoluminescence and electrophysical properties of p-type ZnO layers implanted with V Group elements |
| title_full_unstemmed |
Photoluminescence and electrophysical properties of p-type ZnO layers implanted with V Group elements |
| title_sort |
photoluminescence and electrophysical properties of p-type zno layers implanted with v group elements |
| publisher |
НТК «Інститут монокристалів» НАН України |
| publishDate |
2005 |
| url |
http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/138871 |
| citation_txt |
Photoluminescence and electrophysical properties of p-type ZnO layers implanted with V Group elements / M.B. Kotlyarevsky, I.V. Rogozin, O.V. Marakhovsky // Functional Materials. — 2005. — Т. 12, № 4. — С. 616-621. — Бібліогр.: 19 назв. — англ. |
| series |
Functional Materials |
| work_keys_str_mv |
AT kotlyarevskymb photoluminescenceandelectrophysicalpropertiesofptypeznolayersimplantedwithvgroupelements AT rogoziniv photoluminescenceandelectrophysicalpropertiesofptypeznolayersimplantedwithvgroupelements AT marakhovskyov photoluminescenceandelectrophysicalpropertiesofptypeznolayersimplantedwithvgroupelements |
| first_indexed |
2023-10-18T21:17:37Z |
| last_indexed |
2023-10-18T21:17:37Z |
| _version_ |
1796152427454398464 |