Superlattice nanostructures based on chalcogenide semiconductors
The multilayer chalcogenide semiconductor films with large layer lattice misfit (0.5-13 %) are shown to open the new opportunities for development of one-, two- and three-dimensional superlattice nanostructures. The superconductivity has been revealed for the first time in two-dimensional (dislocati...
Збережено в:
| Видавець: | НТК «Інститут монокристалів» НАН України |
|---|---|
| Дата: | 2009 |
| Автор: | |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | English |
| Опубліковано: |
НТК «Інститут монокристалів» НАН України
2009
|
| Назва видання: | Functional Materials |
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/138929 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Цитувати: | Superlattice nanostructures based on chalcogenide semiconductors // A.Yu. Sipatov // Functional Materials. — 2009. — Т. 16, № 4. — С. 374-383. — Бібліогр.: 25 назв. — англ. |