Photovoltaic properties of a heterostructure on the basis of porous silicon and polyaniline
An electric junction between porous silicon (n-type conductivity) and conductive polyaniline (p-type conductivity) has been made by electrochemical polymerization of aniline on the porous silicon surface. This heterostructure has been found to exhibit rectifying І-V characteristics. Under illuminati...
Збережено в:
| Дата: | 2005 |
|---|---|
| Автори: | , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | English |
| Опубліковано: |
НТК «Інститут монокристалів» НАН України
2005
|
| Назва видання: | Functional Materials |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/139307 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Photovoltaic properties of a heterostructure on the basis of porous silicon and polyaniline / P. Stakhira, E. Aksimentieva, Z. Mykytyuk, V. Cherpak // Functional Materials. — 2005. — Т. 12, № 4. — С. 807-809. — Бібліогр.: 8 назв. — англ. |