Photovoltaic properties of a heterostructure on the basis of porous silicon and polyaniline

Photovoltaic properties of a heterostructure on the basis of porous silicon and polyaniline

An electric junction between porous silicon (n-type conductivity) and conductive polyaniline (p-type conductivity) has been made by electrochemical polymerization of aniline on the porous silicon surface. This heterostructure has been found to exhibit rectifying І-V characteristics. Under illuminati...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Дата:2005
Автори: Stakhira, P., Aksimentieva, E., Mykytyuk, Z., Cherpak, V.
Формат: Стаття
Мова:English
Опубліковано: НТК «Інститут монокристалів» НАН України 2005
Назва видання:Functional Materials
Онлайн доступ:http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/139307
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:Photovoltaic properties of a heterostructure on the basis of porous silicon and polyaniline / P. Stakhira, E. Aksimentieva, Z. Mykytyuk, V. Cherpak // Functional Materials. — 2005. — Т. 12, № 4. — С. 807-809. — Бібліогр.: 8 назв. — англ.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
id irk-123456789-139307
record_format dspace
spelling irk-123456789-1393072018-06-21T03:07:25Z Photovoltaic properties of a heterostructure on the basis of porous silicon and polyaniline Stakhira, P. Aksimentieva, E. Mykytyuk, Z. Cherpak, V. An electric junction between porous silicon (n-type conductivity) and conductive polyaniline (p-type conductivity) has been made by electrochemical polymerization of aniline on the porous silicon surface. This heterostructure has been found to exhibit rectifying І-V characteristics. Under illumination, a considerable increase of the current is observed with a reverse bias. The structure photosensitivity is defined mainly by two barriers, namely, by the polymer/porous silicon interphase and the porous silicon/crystalline silicon barrier. Электрический контакт между пористым кремнием с n-типа проводимостью и проводящим полианилином с проводимостью p-типа изготовлен путем электрохимической полимеризации анилина на поверхности пористого кремния. Найдено, что такая гетероструктура демонстрирует выпрямляющие І-V характеристики. При освещении наблюдалось значительное повышение тока при обратном смещении. Фоточувствительность структуры преимущественно определяется двумя барьерами: интерфазой полимер-пористый кремний и пористый кремний-монокристаллический кремний. Електричний контакт мiж поруватим кремнiєм з n-типу провiднiстю i електропровiдним полiмером - полiанiлiном з провiднiстю p-типу створено шляхом електрохiмiчної полiмеризацiї анiлiну на поверхнi поруватого кремнiю. 3найдено, що така гетероструктура демонструє випрямляючi І-V характеристики. При освiтленнi спостерiгалося значне пiдвищення струму при зворотному змiщеннi. Фоточутливiсть структури переважно визначається двома бар'єрами: iнтерфазою полiмер-поруватий кремнiй та поруватий кремнiй-монокристалiчний кремнiй. 2005 Article Photovoltaic properties of a heterostructure on the basis of porous silicon and polyaniline / P. Stakhira, E. Aksimentieva, Z. Mykytyuk, V. Cherpak // Functional Materials. — 2005. — Т. 12, № 4. — С. 807-809. — Бібліогр.: 8 назв. — англ. 1027-5495 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/139307 en Functional Materials НТК «Інститут монокристалів» НАН України
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
language English
description An electric junction between porous silicon (n-type conductivity) and conductive polyaniline (p-type conductivity) has been made by electrochemical polymerization of aniline on the porous silicon surface. This heterostructure has been found to exhibit rectifying І-V characteristics. Under illumination, a considerable increase of the current is observed with a reverse bias. The structure photosensitivity is defined mainly by two barriers, namely, by the polymer/porous silicon interphase and the porous silicon/crystalline silicon barrier.
format Article
author Stakhira, P.
Aksimentieva, E.
Mykytyuk, Z.
Cherpak, V.
spellingShingle Stakhira, P.
Aksimentieva, E.
Mykytyuk, Z.
Cherpak, V.
Photovoltaic properties of a heterostructure on the basis of porous silicon and polyaniline
Functional Materials
author_facet Stakhira, P.
Aksimentieva, E.
Mykytyuk, Z.
Cherpak, V.
author_sort Stakhira, P.
title Photovoltaic properties of a heterostructure on the basis of porous silicon and polyaniline
title_short Photovoltaic properties of a heterostructure on the basis of porous silicon and polyaniline
title_full Photovoltaic properties of a heterostructure on the basis of porous silicon and polyaniline
title_fullStr Photovoltaic properties of a heterostructure on the basis of porous silicon and polyaniline
title_full_unstemmed Photovoltaic properties of a heterostructure on the basis of porous silicon and polyaniline
title_sort photovoltaic properties of a heterostructure on the basis of porous silicon and polyaniline
publisher НТК «Інститут монокристалів» НАН України
publishDate 2005
url http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/139307
citation_txt Photovoltaic properties of a heterostructure on the basis of porous silicon and polyaniline / P. Stakhira, E. Aksimentieva, Z. Mykytyuk, V. Cherpak // Functional Materials. — 2005. — Т. 12, № 4. — С. 807-809. — Бібліогр.: 8 назв. — англ.
series Functional Materials
work_keys_str_mv AT stakhirap photovoltaicpropertiesofaheterostructureonthebasisofporoussiliconandpolyaniline
AT aksimentievae photovoltaicpropertiesofaheterostructureonthebasisofporoussiliconandpolyaniline
AT mykytyukz photovoltaicpropertiesofaheterostructureonthebasisofporoussiliconandpolyaniline
AT cherpakv photovoltaicpropertiesofaheterostructureonthebasisofporoussiliconandpolyaniline
first_indexed 2023-10-18T21:20:09Z
last_indexed 2023-10-18T21:20:09Z
_version_ 1796152539275591680

Схожі ресурси