Ensemble of point defects in CdTe single crystals and films in the case of full equilibrium and quenching
The ensemble of point defects in CdTе undoped single crystals has been modeled. Two extreme cases were calculated: full equilibrium and quenching. Dependences of the point defect and free carrier concentrations on technological parameters of growing, post-growth annealing in Cd vapor, and the sample...
Збережено в:
| Дата: | 2005 |
|---|---|
| Автори: | , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | English |
| Опубліковано: |
НТК «Інститут монокристалів» НАН України
2005
|
| Назва видання: | Functional Materials |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/139323 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Ensemble of point defects in CdTe single crystals and films in the case of full equilibrium and quenching / V.V. Kosyak, A.S. Opanasyuk, I.Yu. Protsenko // Functional Materials. — 2005. — Т. 12, № 4. — С. 797-806. — Бібліогр.: 16 назв. — англ. |