Post-anodic formation of luminescent porous silicon layers in atmospheric environment
The changes occuring in HF pre-etched porous silicon (PS) samples during aging are studied by measurement of photoluminescence (PL) and IR transmission spectra. The PL behavior of the etched sample is found to depend on the time of PS pre-exposure to the air after anodizing and, hence, on the initia...
Збережено в:
Дата: | 2005 |
---|---|
Автори: | , , , |
Формат: | Стаття |
Мова: | English |
Опубліковано: |
НТК «Інститут монокристалів» НАН України
2005
|
Назва видання: | Functional Materials |
Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/139708 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
Цитувати: | Post-anodic formation of luminescent porous silicon layers in atmospheric environment / V.A. Makara, O.V. Vakulenko, V.B. Shevchenko, O.I. Dacenko // Functional Materials. — 2005. — Т. 12, № 1. — С. 78-82. — Бібліогр.: 17 назв. — англ. |