2025-02-23T04:02:03-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: Query fl=%2A&wt=json&json.nl=arrarr&q=id%3A%22irk-123456789-139708%22&qt=morelikethis&rows=5
2025-02-23T04:02:03-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: => GET http://localhost:8983/solr/biblio/select?fl=%2A&wt=json&json.nl=arrarr&q=id%3A%22irk-123456789-139708%22&qt=morelikethis&rows=5
2025-02-23T04:02:03-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: <= 200 OK
2025-02-23T04:02:03-05:00 DEBUG: Deserialized SOLR response
Post-anodic formation of luminescent porous silicon layers in atmospheric environment

Post-anodic formation of luminescent porous silicon layers in atmospheric environment

The changes occuring in HF pre-etched porous silicon (PS) samples during aging are studied by measurement of photoluminescence (PL) and IR transmission spectra. The PL behavior of the etched sample is found to depend on the time of PS pre-exposure to the air after anodizing and, hence, on the initia...

Full description

Saved in:
Bibliographic Details
Main Authors: Makara, V.A., Vakulenko, O.V., Shevchenko, V.B., Dacenko, O.I.
Format: Article
Language:English
Published: НТК «Інститут монокристалів» НАН України 2005
Series:Functional Materials
Online Access:http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/139708
Tags: Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
id irk-123456789-139708
record_format dspace
spelling irk-123456789-1397082018-06-22T03:04:42Z Post-anodic formation of luminescent porous silicon layers in atmospheric environment Makara, V.A. Vakulenko, O.V. Shevchenko, V.B. Dacenko, O.I. The changes occuring in HF pre-etched porous silicon (PS) samples during aging are studied by measurement of photoluminescence (PL) and IR transmission spectra. The PL behavior of the etched sample is found to depend on the time of PS pre-exposure to the air after anodizing and, hence, on the initial luminescence quantum yield. The results are explained by the PS structure modification during the etching and oxidation of the samples. С помощью спектроскопии фотолюминесценции (ФЛ) и ИК поглощения исследовались изменения, происходящие в процессе старения травленных в HF образцов пористого кремния (ПК). Поведение ФЛ травленных образцов зависит от длительности предварительного экспонирования ПК на воздухе после анодирования и, соответствено, начального квантового выхода люминесценции. Полученные результаты объясняются модификацией структуры ПК в процессе травления и окисления образцов. За допомогою спектроскопії фотолюмінесценції (ФЛ) та ІЧ поглинання досліджувалися зміни, що відбуваються у процесі старіння травлених у HF зразків поруватого кремнію (ПК). Поведінка ФЛ зразків, що травилися, залежить від тривалості попереднього експонування ПК на повітрі після анодування і, відповідно, початкового квантового виходу люмінесценції. Отримані результати пояснюються модифікацією структури ПК протягом травлення та окислення зразків. 2005 Article Post-anodic formation of luminescent porous silicon layers in atmospheric environment / V.A. Makara, O.V. Vakulenko, V.B. Shevchenko, O.I. Dacenko // Functional Materials. — 2005. — Т. 12, № 1. — С. 78-82. — Бібліогр.: 17 назв. — англ. 1027-5495 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/139708 en Functional Materials НТК «Інститут монокристалів» НАН України
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
language English
description The changes occuring in HF pre-etched porous silicon (PS) samples during aging are studied by measurement of photoluminescence (PL) and IR transmission spectra. The PL behavior of the etched sample is found to depend on the time of PS pre-exposure to the air after anodizing and, hence, on the initial luminescence quantum yield. The results are explained by the PS structure modification during the etching and oxidation of the samples.
format Article
author Makara, V.A.
Vakulenko, O.V.
Shevchenko, V.B.
Dacenko, O.I.
spellingShingle Makara, V.A.
Vakulenko, O.V.
Shevchenko, V.B.
Dacenko, O.I.
Post-anodic formation of luminescent porous silicon layers in atmospheric environment
Functional Materials
author_facet Makara, V.A.
Vakulenko, O.V.
Shevchenko, V.B.
Dacenko, O.I.
author_sort Makara, V.A.
title Post-anodic formation of luminescent porous silicon layers in atmospheric environment
title_short Post-anodic formation of luminescent porous silicon layers in atmospheric environment
title_full Post-anodic formation of luminescent porous silicon layers in atmospheric environment
title_fullStr Post-anodic formation of luminescent porous silicon layers in atmospheric environment
title_full_unstemmed Post-anodic formation of luminescent porous silicon layers in atmospheric environment
title_sort post-anodic formation of luminescent porous silicon layers in atmospheric environment
publisher НТК «Інститут монокристалів» НАН України
publishDate 2005
url http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/139708
citation_txt Post-anodic formation of luminescent porous silicon layers in atmospheric environment / V.A. Makara, O.V. Vakulenko, V.B. Shevchenko, O.I. Dacenko // Functional Materials. — 2005. — Т. 12, № 1. — С. 78-82. — Бібліогр.: 17 назв. — англ.
series Functional Materials
work_keys_str_mv AT makarava postanodicformationofluminescentporoussiliconlayersinatmosphericenvironment
AT vakulenkoov postanodicformationofluminescentporoussiliconlayersinatmosphericenvironment
AT shevchenkovb postanodicformationofluminescentporoussiliconlayersinatmosphericenvironment
AT dacenkooi postanodicformationofluminescentporoussiliconlayersinatmosphericenvironment
first_indexed 2023-10-18T21:21:14Z
last_indexed 2023-10-18T21:21:14Z
_version_ 1796152595751895040

Similar Items