Optically induced change of photoelectric properties of CdMnTe crystals
To study the optically induced transformation of the point defect system under strong ans weak excitation from the intrinsic absorption hv > Eg, photoelectric and electric properties of semiconductor solid solutions С₁-хМnхТе (x = 0.08 + 0.1) have been studied at 78 and 300 K. It has been found...
Збережено в:
Дата: | 2005 |
---|---|
Автори: | Savkina, R.K., Sizov, F.F., Smirnov, A.B. |
Формат: | Стаття |
Мова: | English |
Опубліковано: |
НТК «Інститут монокристалів» НАН України
2005
|
Назва видання: | Functional Materials |
Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/139722 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
Цитувати: | Optically induced change of photoelectric properties of CdMnTe crystals / R.K. Savkina, F.F. Sizov, A.B. Smirnov // Functional Materials. — 2005. — Т. 12, № 1. — С. 11-16. — Бібліогр.: 28 назв. — англ. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineСхожі ресурси
-
Dislocations as internal sources of infrared radiation in crystals subjected to ultrasonic influence
за авторством: Savkina, R.K., та інші
Опубліковано: (2007) -
Layer structure formation in Hg₁₋xCdxTe films after high-frequency sonication
за авторством: Savkina, R.K., та інші
Опубліковано: (2006) -
Distribution of components in epitaxial graded band gap heterostructures Cd(Mn, Zn)Te – Cd(Mn, Zn)HgTe and their photoelectrical properties
за авторством: Vlasenko, O.I., та інші
Опубліковано: (1998) -
Radiation-induced changes in dielectric and photoelectric properties of AᴵᴵBⱽᴵ crystals
за авторством: Ryzhikov, V., та інші
Опубліковано: (2004) -
Electron relaxation and mobility in the inverted band quantum well CdTe/Hg₁₋xCdxTe/CdTe
за авторством: Melezhik, Ye.O., та інші
Опубліковано: (2014)