Recombination of non-equilibrium charge carriers injected into Ge through intermediate defective layer
The recombination of non-equilibrium charge carriers injected into n-Ge sample through an intermediate defect layer has been studied in experiment as well as theoretically. The structure defects were formed by cyclic straining with simultaneous ultrasonic irradiation of the sample at 310 K. Distribu...
Збережено в:
Видавець: | НТК «Інститут монокристалів» НАН України |
---|---|
Дата: | 2005 |
Автори: | , , |
Формат: | Стаття |
Мова: | English |
Опубліковано: |
НТК «Інститут монокристалів» НАН України
2005
|
Назва видання: | Functional Materials |
Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/139745 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Цитувати: | Recombination of non-equilibrium charge carriers injected into Ge through intermediate defective layer / V. Nadtochiy, N. Golodenko, N. Nechvolod // Functional Materials. — 2005. — Т. 12, № 1. — С. 45-50. — Бібліогр.: 12 назв. — англ. |