Recombination of non-equilibrium charge carriers injected into Ge through intermediate defective layer
The recombination of non-equilibrium charge carriers injected into n-Ge sample through an intermediate defect layer has been studied in experiment as well as theoretically. The structure defects were formed by cyclic straining with simultaneous ultrasonic irradiation of the sample at 310 K. Distribu...
Збережено в:
Видавець: | НТК «Інститут монокристалів» НАН України |
---|---|
Дата: | 2005 |
Автори: | Nadtochiy, V., Golodenko, N., Nechvolod, N. |
Формат: | Стаття |
Мова: | English |
Опубліковано: |
НТК «Інститут монокристалів» НАН України
2005
|
Назва видання: | Functional Materials |
Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/139745 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Цитувати: | Recombination of non-equilibrium charge carriers injected into Ge through intermediate defective layer / V. Nadtochiy, N. Golodenko, N. Nechvolod // Functional Materials. — 2005. — Т. 12, № 1. — С. 45-50. — Бібліогр.: 12 назв. — англ. |
Репозиторії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineСхожі ресурси
-
Recombination of charge carriers in heterostructures with Ge nanoislands grown on Si(100)
за авторством: Kondratenko, S.V.
Опубліковано: (2015) -
Recombination of charge carriers in heterostructures with Ge nanoislands grown on Si(100)
за авторством: S. V. Kondratenko
Опубліковано: (2015) -
Changes in lifetime of charge carriers and in Ge defective subsurface layer conductivity at thermal treatment
за авторством: Надточий, В.А., та інші
Опубліковано: (2004) -
Exciton-enhanced recombination in silicon at high concentrations of charge carriers
за авторством: Sachenko, A.V., та інші
Опубліковано: (2000) -
Peculiarities of charge carriers transport in submicron Si-Ge whiskers
за авторством: Druzhinin, A.A., та інші
Опубліковано: (2014)