Фотоконденсатор на основе нанокомпозита n-InSe<RbNO₃>

• Datum: 2018
• Hauptverfasser: Нетяга, В.В., Водопьянов, В.Н., Иванов, В.И., Ткачук, И.Г., Ковалюк З.Д.
• Format: Artikel
• Sprache: Russian
• Veröffentlicht: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2018
• Schriftenreihe: Технология и конструирование в электронной аппаратуре
• Schlagworte: Новые компоненты для электронной аппаратуры
• Online Zugang: http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/140618
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Zitieren: Фотоконденсатор на основе нанокомпозита n-InSe<RbNO₃> / В.В. Нетяга, В.Н. Водопьянов, В.И. Иванов, И.Г. Ткачук, З.Д. Ковалюк // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2018. — № 2. — С. 3-8. — Бібліогр.: 10 назв. — рос.

На основе слоистого полупроводника n-InSe и сегнетоэлектрической соли RbNO₃ синтезирован новый нанокомпозит n-InSe<RbNO₃>. Полученное соединение отличается высоким коэффициентом перекрытия по емкости при освещении и обладает способностью накапливать электрический заряд. На его основе разработа...