Фотоконденсатор на основе нанокомпозита n-InSe<RbNO₃>
На основе слоистого полупроводника n-InSe и сегнетоэлектрической соли RbNO₃ синтезирован новый нанокомпозит n-InSe<RbNO₃>. Полученное соединение отличается высоким коэффициентом перекрытия по емкости при освещении и обладает способностью накапливать электрический заряд. На его основе разработа...
Збережено в:
| Дата: | 2018 |
|---|---|
| Автори: | , , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Russian |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2018
|
| Назва видання: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/140618 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Фотоконденсатор на основе нанокомпозита n-InSe<RbNO₃> / В.В. Нетяга, В.Н. Водопьянов, В.И. Иванов, И.Г. Ткачук, З.Д. Ковалюк // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2018. — № 2. — С. 3-8. — Бібліогр.: 10 назв. — рос. |