Фотоконденсатор на основе нанокомпозита n-InSe<RbNO₃>

Фотоконденсатор на основе нанокомпозита n-InSe<RbNO₃>

На основе слоистого полупроводника n-InSe и сегнетоэлектрической соли RbNO₃ синтезирован новый нанокомпозит n-InSe<RbNO₃>. Полученное соединение отличается высоким коэффициентом перекрытия по емкости при освещении и обладает способностью накапливать электрический заряд. На его основе разработа...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Дата:2018
Автори: Нетяга, В.В., Водопьянов, В.Н., Иванов, В.И., Ткачук, И.Г., Ковалюк З.Д.
Формат: Стаття
Мова:Russian
Опубліковано: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2018
Назва видання:Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Теми:
Новые компоненты для электронной аппаратуры
Онлайн доступ:http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/140618
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:Фотоконденсатор на основе нанокомпозита n-InSe<RbNO₃> / В.В. Нетяга, В.Н. Водопьянов, В.И. Иванов, И.Г. Ткачук, З.Д. Ковалюк // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2018. — № 2. — С. 3-8. — Бібліогр.: 10 назв. — рос.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
id irk-123456789-140618
record_format dspace
spelling irk-123456789-1406182018-07-13T01:22:42Z Фотоконденсатор на основе нанокомпозита n-InSe<RbNO₃> Нетяга, В.В. Водопьянов, В.Н. Иванов, В.И. Ткачук, И.Г. Ковалюк З.Д. Новые компоненты для электронной аппаратуры На основе слоистого полупроводника n-InSe и сегнетоэлектрической соли RbNO₃ синтезирован новый нанокомпозит n-InSe<RbNO₃>. Полученное соединение отличается высоким коэффициентом перекрытия по емкости при освещении и обладает способностью накапливать электрический заряд. На его основе разработан фотоконденсатор, работоспособный в области частот от 10⁻¹ до 10⁴ Гц, для применения в оптоэлектронных системах памяти, в фотоэлектрических сенсорах, в преобразователях световой энергии и в накопителях электрической энергии. Методом інтеркаляції іонів сегнетоелектричної солі RbNO₃ із її розплаву у шаруватий монокристал InSe отримано нанокомпозитний матеріал n-InSe<RbNO₃>, який може бути використаний для виготовлення фотоконденсатора з високою питомою ємністю. Проведено рентгенівський аналіз структури, отримано АСМ-зображення поверхні шарів, виміряно діелектричні частотні характеристики зразків. The n-InSe<RbNO₃> nanocomposite material was obtained by the method of intercalation of the InSe layered single crystal from a melt of RbNO₃ ferroelectric salt, which can be used for the production of a high-specific capacitance photoconductor. X-ray analysis of the structure, AFM-imaging of the surface and measurement of dielectric frequency characteristics of the samples were carried out. It was found that the intercalated InSe<RbNO₃> samples keeps the type of monocrystalline structure, and the spectrum of X-ray diffraction pattern indicates the implantation of the intercalant in the van der Waals gaps of layered InSe single crystal with an increase in the parameters of the crystal lattice. 2018 Article Фотоконденсатор на основе нанокомпозита n-InSe<RbNO₃> / В.В. Нетяга, В.Н. Водопьянов, В.И. Иванов, И.Г. Ткачук, З.Д. Ковалюк // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2018. — № 2. — С. 3-8. — Бібліогр.: 10 назв. — рос. 2225-5818 DOI: 10.15222/TKEA2018.2.03 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/140618 538.9 ru Технология и конструирование в электронной аппаратуре Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
language Russian
topic Новые компоненты для электронной аппаратуры
Новые компоненты для электронной аппаратуры
spellingShingle Новые компоненты для электронной аппаратуры
Новые компоненты для электронной аппаратуры
Нетяга, В.В.
Водопьянов, В.Н.
Иванов, В.И.
Ткачук, И.Г.
Ковалюк З.Д.
Фотоконденсатор на основе нанокомпозита n-InSe<RbNO₃>
Технология и конструирование в электронной аппаратуре
description На основе слоистого полупроводника n-InSe и сегнетоэлектрической соли RbNO₃ синтезирован новый нанокомпозит n-InSe<RbNO₃>. Полученное соединение отличается высоким коэффициентом перекрытия по емкости при освещении и обладает способностью накапливать электрический заряд. На его основе разработан фотоконденсатор, работоспособный в области частот от 10⁻¹ до 10⁴ Гц, для применения в оптоэлектронных системах памяти, в фотоэлектрических сенсорах, в преобразователях световой энергии и в накопителях электрической энергии.
format Article
author Нетяга, В.В.
Водопьянов, В.Н.
Иванов, В.И.
Ткачук, И.Г.
Ковалюк З.Д.
author_facet Нетяга, В.В.
Водопьянов, В.Н.
Иванов, В.И.
Ткачук, И.Г.
Ковалюк З.Д.
author_sort Нетяга, В.В.
title Фотоконденсатор на основе нанокомпозита n-InSe<RbNO₃>
title_short Фотоконденсатор на основе нанокомпозита n-InSe<RbNO₃>
title_full Фотоконденсатор на основе нанокомпозита n-InSe<RbNO₃>
title_fullStr Фотоконденсатор на основе нанокомпозита n-InSe<RbNO₃>
title_full_unstemmed Фотоконденсатор на основе нанокомпозита n-InSe<RbNO₃>
title_sort фотоконденсатор на основе нанокомпозита n-inse<rbno₃>
publisher Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
publishDate 2018
topic_facet Новые компоненты для электронной аппаратуры
url http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/140618
citation_txt Фотоконденсатор на основе нанокомпозита n-InSe<RbNO₃> / В.В. Нетяга, В.Н. Водопьянов, В.И. Иванов, И.Г. Ткачук, З.Д. Ковалюк // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2018. — № 2. — С. 3-8. — Бібліогр.: 10 назв. — рос.
series Технология и конструирование в электронной аппаратуре
work_keys_str_mv AT netâgavv fotokondensatornaosnovenanokompozitaninserbno3
AT vodopʹânovvn fotokondensatornaosnovenanokompozitaninserbno3
AT ivanovvi fotokondensatornaosnovenanokompozitaninserbno3
AT tkačukig fotokondensatornaosnovenanokompozitaninserbno3
AT kovalûkzd fotokondensatornaosnovenanokompozitaninserbno3
first_indexed 2023-10-18T21:23:03Z
last_indexed 2023-10-18T21:23:03Z
_version_ 1796152668081618944

Схожі ресурси